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　 SSTKJ自 制微波光电 　
　 SUNSTAR定制OEM 　
　 新品发布 　
　 热销产品 　
　 特价产品 　
 

一、产品分类介绍：　　

A、射频微波元器件

->射频模块/功率管
->射频管/高频管/微波管
->混频器
->放大器
->衰减器
->双工器
->功分器
->隔离器
->开关/射频微波开关
->低噪声管
->温补晶振/晶体振荡器
->负载电阻
->PIN二极管
->PLL锁相环
->通信IC
->介质滤波器
->声表滤波器/SAW
->混合耦合器
->高频微波电容
->高频微波电感

->特价库存微波元件

->电源系统专用元件

->高频功放模块

->特殊专用元件

->高频三极管

->无线电发射专用管发射管

->高频场效应管

->GaAs微波功率晶体管

->MOS双极性晶体管

->微波毫米波振荡器

->频率源/频率综合器

->倍频器/倍频器模块

->MMIC混频器

  同轴和波导混频器

->MMIC移相器及移相器模块

->MMIC功率放大器低噪放

->对数检波视频放大器

->MMIC KU到KA收发器

->MMIC开关及模块

->同轴及波导负载部件

->MMIC同轴及波导衰减器

->同轴定向耦合器部件

->适配器转换

->速调管、行波管检波器

->波导部件和旋转关节

->功分器合路器双工器

->毫米波测试设备

->限幅器

->高功率倍增器

->射频连接器/接插件/线缆

->射频微波材料

->军品高精度晶体振荡器

-> 通信专用元器件

-> 电子管/真空管/闸流管

-> FREESCALE/MOTOROLA

-> ERICSSON爱立信系列

-> NXP/PHILIPS飞利浦系列

-> TOSHIBA东芝系列

-> MITSUBISHI/RENESAS

-> M/A-COM系列

-> ASI系列

-> EUDYNA/FUJITSU富士通

-> HP/AGILENT/Avago

-> NEC日电系列

-> HITACHI/RENESAS日立

-> SONY索尼系列
-> UMS

-> Mini-circuits

-> SIRENZA

-> ALPHA

->  WJ

-> RFMD

-> APT

-> HITTITE

-> ST意法半导体

-> QUALCOMM高通

-> PDI

-> CML

　

B、光通讯元器件

->光电通讯元器件

->光耦/光电耦合器

->Agilent光模块

->AMP光模块

->SIEMENS光纤收发模块

->OCP光纤收发模块

->CISCO光纤收发模块

->GBIC光纤收发模块

->光纤收发器

->常用光电元器件库存

　

C、二极管、三极管

->二极管/变容管/变阻管

->三极管/晶闸管/场效应管

->2SJ系列电子器件

D、无线收发、无线射频IC

E、无线收发模块

F、GSM/CDMA/GPRS通信模块

G、GPS模块/天线/方案

H、扩频模块/MODEM模块

I、遥控器/遥控开关/模块

J、通信继电器/干簧管

K、电源模块/模块电源

L、通信变压器

M、通信防雷器/TVS管

N、无线收发芯片和模组

O、数据通信芯片

　

二、产品图文介绍：

　
　
　
　
　
 
　

FUJITSU/EUDYNA公司详细产品资料目录手册/应用资料下载   代理经销Eudyna优迪娜/Fujitsu富士通微波射频器件库存清单

                                           

 Sumitomo/Eudyna/FUJITSU

FUJITSU富士通已经与SUMITOMO住友电气工业达成成立一间专注于化合物半导体业务的合资企业优迪那半导体有限公司EUDYNA的决议。 这份决议将整和以及巩固富士通旗下的全资子公司富士通量子器件株式会社与住友电气工业两家公司的化合物半导体电子器件业务。富士通与住友电气工业将各占这间合资企业50％的股份。
这间新的合资公司优迪那半导体有限公司将专注于研究开发, 制造和销售覆盖各种用途的化合物半导体器件, 并致力于成长为这个领域科技发展的领导者, 以迅速地建立全球客户的信任.
               Optical Semiconductors 
               激光二极管模块 
               光电二极管探测器与光接收器模块 
               光收发器模块
               可视激光二极管
               微波器件

Sumitomo 住友电气工业设计、生产并销售基于GaAs技术制成的组件、集成电路和模块产品。电子设备部门（EDD）专注于Ⅲ－Ⅳ组件产业，供应先进和优良的产品，用于光纤通讯系统的前端模拟电路，并可提供给客户多样化的标准产品。现今，本公司已可提供10Gb/s SONET/SDH/ATM的丰富产品系列；而基于InP的40Gb/s IC也在迅速发展中，很快也将被列入我们的产品系列之中。本公司生产无线及光纤产品，以及专注于包含了epitaxial water process技术的行动／无线基站经营，顾客可选择采用以离子注入（Ion-implantation）及Epitaxial组件技术为本的多种GaAs MESFET 制作法.
        光纤产品GaAs IC 
               F01 Series 前置放大器IC  
               F03 Series 限制放大器IC  
               F05 Series LD驱动IC  
               F06 Series LED驱动IC  
              F08 Series PD/APD前置放大器模
        无线产品GaAs IC 
              P01 Series 中等功率FET  
              P04 Series PDC/GSM/AMPS基站/推进器  
              P05 Series PHS基站  
              P06 Series CDMA/PCS基站

砷化镓FET芯片和HEMT芯片
--通用砷化镓场效应晶体管(FET)芯片
--低噪音高电子迁移率晶体管(HEMT)芯片
　
超低噪音已封装HEMT
--超低噪音已封装高电子迁移率晶体管(HEMT)
　
分立砷化镓FET
--通用砷化镓场效应晶体管(FET)
--移动通信用L波段高功率砷化镓场效应晶体管(FET)
--通用功率砷化镓场效应晶体管(FET)芯片
　
内部匹配型功率FET
--低失真内部匹配型砷化镓场效应晶体管(FET)
　
砷化镓MMIC
--移动通信用单片微波集成电路(MMIC)驱动放大器
　
--14GHz波段VSAT用单片微波集成电路(MMIC)功率放大器
--准毫米波单片微波集成电路(MMIC)
--直播卫星(DBS)用单片微波集成电路(MMIC)
--砷化镓微波分频器(Prescalar)集成电路
　
GaAs FET Chips and HEMT Chips
GaAs FET Chips for General Purpose Applications
Part Number
Output Power at 1dB G.C.P
P 1dB (typ)
(dBm)
Power Gain at 1dB G.C.P
G 1dB (typ)
(dB)
Power-added Efficiency
η add (typ)
(%)
frequency
f
(GHz)
Drain Source Voltage
V DS
(V)
Drain Source Current
I DS
(mA)
Chip Type
Frequency Band
FLC087XP
28.5
7.0
31.5
8.0
10
180
XP
C
FLC157XP
31.5
6.0
29.5
8.0
10
360
XP
FLC307XP
34.8
9.5
37.0
4.0
10
720
XP
FSX017X
21.5
11.0
42.0
8.0
8
38
X
X
FSX027X
24.5
10.0
41.0
8.0
8
77
X
FLX257XV
33.5
7.5
31.0
10.0
10
600
XV
FLK017XP
20.5
8.0
26.0
14.5
10
36
XP
Ku
FLK027XV *
24.0
7.0
32.0
14.5
10
60
XP/XV
FLK057XV
27.0
7.0
32.0
14.5
10
120
XV
FLK107XV
30.0
6.5
31.0
14.5
10
240
XV
FLK207XV
32.5
6.0
27.0
14.5
10
480
XV
X Conventional
XP Plated Heat Sink
XV Via Hole PHS
　
* : XP also available 　
　
　
HEMT Chips for Low Noise Applications
Part Number
Noise Figure
NF (typ)
(dB)
Associated Gain
Gas (typ)
(dB)
frequency
f
(GHz)
Drain Source Voltage
V DS
(V)
Drain Source Current
I DS
(mA)
Frequency Band
FHX04X
0.75
10.5
12.0
2
10
X/Ku
FHX05X
0.9
10.5
12.0
2
10
FHX06X
1.10
10.5
12.0
2
10
FHX13X
0.45
13.0
12.0
2
10
FHX14X
0.55
13.0
12.0
2
10
FHX35X
1.20
10.0
12.0
3
10
FHX45X
0.55
12.0
12.0
2
10
FHR02X
1.0
9.0
18.0
2
10
K
FHR20X
0.75
10.0
18.0
2
5
Super Low Noise Packaged HEMTs
Super Low Noise Packaged HEMT (High Electron Mobility Transistor)
Part Number
Noise Figure
NF (typ)
(dB)
Associated Gain
Gas (typ)
(dB)
frequency
f
(GHz)
Drain Source Voltage
V DS
(V)
Drain Source Current
I DS
(mA)
Package Type
Frequency Band
FHC40LG
0.30
15.5
4.0
2
10
LG
C
FHX13LG
0.45
13.0
12.0
2
10
LG
X/Ku
FHX14LG
0.55
13.0
12.0
2
10
LG
FHX04LG
0.75
10.5
12.0
2
10
LG
FHX05LG
0.90
10.5
12.0
2
10
LG
FHX06LG
1.10
10.5
12.0
2
10
LG
FHX35LG
1.20
10.0
12.0
3
10
LG
Tc(op) = +25C, All measurement values are shown as standard values
Note: FSU01LG, FSU02LG, and FSX017LG devices are short lead.
Discrete GaAs FETs
General Purpose GaAs FET
Part Number
Test Condition1
Output power at
1dB G.C.P
P 1dB
(dBm)
Power Gain at
1dB G.C.P
G 1dB
(dB)
Test Condition2
Noise Figure
NF
Condition2
Associated Gain
Gas
Condition2
Package
Application
FSU01LG
f=2GHz
V DS =6V
I DS =40mA
20
19
f=2GHz
V DS =3V
I DS =10mA
0.55
18.5
LG
Medium Power Amplifier
FSU02LG
f=2GHz
V DS =6V
I DS =80mA
23
17
f=2GHz
V DS =3V
I DS =20mA
1.5
17.5
LG
FSX027WF
f=8GHz
V DS =8V
I DS =77mA
24.5
10
-
-
-
WF
FSX017WF
f=8GHz
V DS =8V
I DS =39mA
21.5
11
-
-
-
WF
FSX56LP
f=10GHz
V DS =3V
I DS =30mA
15
6
-
-
-
LP
BS Oscillator
FSX017LG
f=12GHz
V DS =4V
I DS =30mA
16
8
-
-
-
LG
Medium Power Amplifier
*1: Internally matched type; *2: Push-pull FET type; *3: Pout; *4: GL (small signal gain); *5: I DS (DC)
Note: Tc = +25C. All measurement values are shown as standard values.
L-band GaAs-FET for Mobile Communication System
Part number
Band

Output Power at 1dB
G.C.P
P 1dB

Power Gain at 1dB
G.C.P
G 1dB
Power Added Efficiency
η add
(%)
frequency
f
(GHz)
Drain-Source Voltage
V DS
(V)
Drain Current
I DS
(mA)

Thermal Resistance
(癈/W)

package
type
Feature.
Application
FLU10XM
L
29.5
13.5
47
2
10
180
25
XM
High gain, surface mount package
FLU17XM
32.5
12.5
46
2
360
15
FLU35XM
35.5
11.5
46
2
720
7.5
FLL107ME
29.5
13.5
47
2.3
180
25
ME
High gain
High Output Amplifier
FLL177ME
32.5
12.5
46
2.3
360
15
FLL357ME
33.5
11.5
46
2.3
720
7.5
FLL57MK
36
11.5
37
2.3
990
6.2
MK
FLL120MK
40
10.0
40
2.3
2200
3.3
FLL200IB-1 *1
42.5
13.0
35
1.5
4800
1.6
IB
FLL200IB-2 *1
42.5
11.0
34
2.3
4800
1.6
FLL200IB-3 *1
42.5
11.0
34
2.6
4800
1.6
FLL300IL-1
44.5
13.0
45
0.9
6000
1.0
IL
FLL300IL-2
44.5
12.0
44
1.8
6000
1.0
FLL300IL-3
44.5
10.0
42
2.6
6000
1.0
FLL300IP-4 *2
44.5
8.0
40
3.6
6000 *5
1.0
IP
Push-pull type.
High gain, high output amplifier
FLL310IQ-3A *2
45.0
9.0
40
2.7
7000
1.0
IQ
FLL400IP-2 *2
45.5
10.0
44
1.96
12
2000 *5
1.0
IP
FLL400IP-3 *2
45.5
9.0
43
2.5
2000 *5
1.0
FLL600IQ-2 *2
48
10.5
43
1.96
4000 *5
0.8
IQ
FLL600IQ-2C *2
48.0 *3
12.0 *4
51
2.17
1500 *5
0.8
FLL600IQ-3 *2
48.0
10.0
43
2.7
4000 *5
0.8
FLL800IQ-2C *2
49.0 *3
11.0 *4
50
2.17
2000 *5
0.8
FLL810IQ-3C *2
49.0 *3
12.0 *4
50
2.6
5000
0.8
FLL810IQ-4C *2
49.0 *3
9.5 *4
45
3.6
5000
0.8
FLL1200IU-2 *2
50.8 *3
11.0 *4
44
1.96
5000
0.6
IU
FLL1200IU-3 *2
50.8 *3
11.0 *4
44
2.5
5000
0.6
FLL1500IU-2C *2
51.8 *3
12.0 *4
48
2.17
4000 *5
0.55
FLL2400IU-2C *2
53.8 *3
11.5 *4
-
2.17
6000 *5
0.45
*1 : Input Matched
General Purpose Power GaAs-FET
Part Number
Output Power at 1dB G.C.P
P 1dB (typ)
(dBm)
Power Gain at 1dB G.C.P
G 1dB (typ)
(dB)
Power-added Efficiency
η add (typ)
(%)
frequency
f
(GHz)
Drain Source Voltage
V DS
(V)
Drain Source Current
I DS
(mA)
Thermal Resistance
R th (typ)
(癈/W)
Package Type
Frequency Band
FLC057WG
27.0
9.0
38.0
8.0
10
120
27
WG
C
FLC097WF
28.8
8.5
35.0
6.0
10
180
25
WF
FLC107WG
30.0
8.0
36.0
8.0
10
240
16
WG
FLC167WF
31.8
7.5
35.0
6.0
10
360
15
WF
FLC257MH-6 *1
34.0
9.0
36.0
6.4
10
600
8
MH
FLC257MH-8 *1
34.0
8.0
35.0
8.5
10
600
8
MH
FLC317MG-4 *1
34.8
9.5
37.0
4.2
10
720
8
MG
FLX107MH-12 *1
30.0
7.5
33.0
12.5
10
240
15
MH
X
FLX207MH-12 *1
32.5
7.0
28.0
12.5
10
480
10
MH
FLK017WF
20.5
7.5
26.0
14.5
10
36
65
WF
Ku
FLK027WG
24.0
7.0
32.0
14.5
10
60
40
WG
FLK057WG
27.0
7.0
32.0
14.5
10
120
20
WG
FLK107MH-14 *1
30.0
6.5
31.0
14.5
10
240
15
MH
FLK207MH-14 *1
32.5
6.0
27.0
14.5
10
480
10
MH
Low Distortion Internally Matched GaAs-FET Characteristics
Part Number
Band
3rd Order Inter-modulation Distortion
IM3
(dBc)
Output Power at 1dB G.C.P
P 1dB
(dBm)
Power Gain at 1dB G.C.P
G 1dB
(dB)
Power added Efficiency
Frequency
f
(GHz)
Drain-Source Voltage
V DS (V)
Drain Current
I DS (mA)
Thermal Resistance
(癈/W)
Package
Special Application
FLM3135-4F
FLM3135-8F
FLM3135-12F
FLM3135-18F
S
-45
-45
-45
-45
36.5
39.5
41.5
43
12
11
11.5
10.5
38
37
40
37
3.1~3.5
3.1~3.5
3.1~3.5
3.1~3.5
10
1100
2200
3400
4800
5
3
2.3
1.6
IB
IB
IK
IK
High output amplifier

Impedance matched = 50Ω

External circuit not required

Each is designed for standard communication frequency band
FLM3439-4F
FLM3439-8F
FLM3439-12F
FLM3439-18F
FLM3439-25F
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
39.5
41.5
43
44.5
12
11
11.5
10.5
10.5
38
37
40
37
41
3.4~3.9
3.4~3.9
3.4~3.9
3.4~3.9
3.4~3.9
1100
2200
3400
4800
6800
5
3
2.3
1.6
1.4
IB
IB
IK
IK
IK
FLM3742-4F
FLM3742-8F
FLM3742-12F
FLM3742-18F
FLM3742-25F
C
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
39.5
41.5
43
44.5
12
11
11.5
10.5
10.5
38
37
40
37
41
3.7~4.2
3.7~4.2
3.7~4.2
3.7~4.2
3.7~4.2
1100
2200
3250
4800
6200
5
3
2.3
1.6
1.4
IB
IB
IK
IK
IK
FLM4450-4F
FLM4450-8F
FLM4450-12F
FLM4450-18F
FLM4450-25F
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
39.5
41.5
43
44.5
11
10
10.5
9.5
9.5
37
36
39
36
40
4.4~5.0
4.4~5.0
4.4~5.0
4.4~5.0
4.4~5.0
1100
2200
3250
4800
6200
5
3
2.3
1.6
1.4
IB
IB
IK
IK
IK
FLM5359-4F
FLM5359-8F
FLM5359-12F
FLM5359-18F
FLM5359-25F
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
39.5
41.5
43
44.5
10.5
9.5
9.5
8.5
8.5
37
36
38
35
39
5.3~5.9
5.3~5.9
5.3~5.9
5.3~5.9
5.3~5.9
1100
2200
3250
4800
6200
5
3
2.3
1.6
1.4
IB
IB
IK
IK
IK
FLM5964-4F
FLM5964-6F
FLM5964-8F
FLM5964-12F
FLM5964-18F
FLM5964-25F
-46
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
38.5
39.5
41.5
43
44.5
10
10
10
10
10
10
37
37
37
37
37
37
5.9~6.4
5.9~6.4
5.9~6.4
5.9~6.4
5.9~6.4
5.9~6.4
1100
1625
2200
3250
4875
6500
5
4
3
2.3
1.6
1.4
IB
IB
IB
IK
IK
IK
FLM5972-8F
-45
39.0
8.5
31
5.9~7.2
2200
3.0
IB
FLM6472-4F
FLM6472-6F
FLM6472-8F
FLM6472-12F
FLM6472-18F
FLM6472-25F
-46
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
38.5
39.5
41.5
43
44.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
9.5
36
37
36
37
37
38
6.4~7.2
6.4~7.2
6.4~7.2
6.4~7.2
6.4~7.2
6.4~7.2
1100
1625
2200
3250
4875
6500
5
4
3
2.3
1.6
1.4
IB
IB
IB
IK
IK
IK
FLM7179-4F
FLM7179-6F
FLM7179-8F
FLM7179-12F
FLM7179-18F
-46
-46
-46
-46
-46
36.5
38.5
39.5
41.5
42.5
9
9
9
9
8
35
34
35
38
30
7.1~7.9
7.1~7.9
7.1~7.9
7.1~7.9
7.1~7.9
1100
1625
2200
3250
4875
5
4
3
2.3
1.6
IB
IB
IB
IK
IK
FLM7185-6F
FLM7185-12F
-45
-45
38.0
41.0
8
8
30
30
7.1~8.5
7.1~8.5
1625
3500
4
2.3
IB
IK
FLM7785-4F
FLM7785-6F
FLM7785-8F
FLM7785-12F
-46
-46
-46
-46
36.5
38.5
39.5
41.5
8.5
8.5
8.5
8.5
35
31
34
34
7.7~8.5
7.7~8.5
7.7~8.5
7.7~8.5
1100
1755
2200
3500
5
4
3
2.3
IB
IB
IB
IK
FLM8596-4F
FLM8596-8F
FLM8596-12F
X,
Ku
-45
-45
-45
36.5
39.0
40.5
7.5
7.5
7.5
29
29
25
8.5~9.6
8.5~9.6
8.5~9.6
1100
2200
3600
5
3
2.3
IA
IB
IB
FLM0910-3F
FLM0910-4F
FLM0910-8F
-46
-46
-46
35
36
39
7.5
7.5
7.5
29
29
29
9.5~10.5
9.5~10.5
9.5~10.5
900
1100
2200
5
5
3
IA
IA
IB
FLM1011-3F
FLM1011-4F
FLM1011-6F
FLM1011-8F
FLM1011-12F
-46
-46
-45
-46
-45
35
36
37.5
39
40.5
7.5
7
7.5
7
6
29
29
28
29
25
10.7~11.7
10.7~11.7
10.7~11.7
10.7~11.7
10.7~11.7
900
1100
1800
2200
3600
5
5
4
3
2.3
IA
IA
IA
IB
IB
FLM1213-4F
FLM1213-6F
FLM1213-8F
FLM1213-12F
-46
-45
-46
-45
36
37.5
39
40.5
6.5
7
6.5
5.5
28
27
28
24
12.7~13.2
12.7~13.2
12.7~13.2
12.7~13.2
1100
1800
2200
3600
5
4
3
2.3
IA
IA
IA
IB
FLM1314-3F
FLM1314-6F
-45
-45
35
37.5
5.5
5.5
25
22
13.75~14.5
13.75~14.5
900
1800
5
4
IA
IA
FLM1414-3F
FLM1414-4F
FLM1414-6F
FLM1414-8F
FLM1414-12F
-46
-46
-46
-46
-
35
36
37.5
39
40.5
6.5
6
6.5
6
5
27
27
24
27
23
14.0~14.5
14.0~14.5
14.0~14.5
14.0~14.5
14.0~14.5
900
1100
1800
2200
3600
5
5
4
3
2.3
IA
IA
IA
IA
IB
FLM1415-3F
FLM1415-6F
-45
-45
34.5
37
5.5
5.5
23
20
14.5~15.3
14.5~15.3
900
1800
5
4
IA
IA
Note: Tc= +25C. All measurement values are shown as standard values.
Driver Amplifier MMIC for Mobile Communication
Part Number
frequecy
f
GHz
Output power at 1dB G.C.P
P 1dB
dBm (typ.)
small signal gain
G
dB
Gain Flatness
ΔG
dB (typ.)
DC Input Current
I DD / I GG
mA
Feature
FMM5027VJ
0.8~3.0
26
19
2
220/2
broad band, high output
FMM5046VF
2.2
36
30
-
1700/35
high output
FMM5049VT
2.2
41 *1
33
-
2500/7
high output
Note *1 : Pout;
Power Amplifier MMIC for 14GHz Band VSAT
Part Number
frequecy
f
GHz
Output power at 1dB G.C.P
P 1dB
dBm (typ.)
Linear Gain
G
dB (typ.)
Gain Flatness
ΔG
dB (typ.)
FMM5010VF
14.0~14.5
21
25
1.0
FMM5017VF
14.0~14.5
29
20
1.0
FMM5007VF
14.0~14.5
31
20
1.0
FMM5522GJ
14.0~14.5
35
26 *1
2.0 *3
FMM5051VF
13.75~14.5
31.5 *2
31.5
1.5
FMM5048GJ
13.75~14.5
36
26 *1
3.0 *3
*1 : G1dB;   *2 : Pout (Pin=3dBm);   *3 : Maximum;
Quasi Millimeter-Wave MMIC
Power Amplifier MMIC for VSAT Characteristics
Type
Frequency Range
(GHz)
　
Drain Voltage
V DD (V)
Output Power at 1dB G.C.P
P1dB (dBm)
Power Gain at 1dB G.C.P
G1dB (dB)
Power Added Efficiency
η add (%)
FMM5802X
27.5~31.5
6
25.5
9
20
FMM5803X
27.5~30.0
30 *2
14
20 *2
30.0~31.5
12
FMM5804X
17.5~30.0
25
18
18
30.0~31.5
23
FMM5805X
17.5~20.0
31
21
30
FMM5806X
24.0~27.0
26
9.5
25
FMM5807X
21.0~24.0
29
14 *1
20 *1
24.0~27.0
30
FMM5815X
17.5~20.0
31
21
30 *3
FMM5816X
37.0~42.0
25
14
20
*1: f=21.0~24.0GHz (typ.),  *2: f=27.5~31.5GHz (typ.),  *3: ηadd at P1dB
(All characteristic are typical value)
　
Quasi Millimeter-wave Power Amplifier (Package) Characteristics
Type
Frequency Range
(GHz)
　
Drain Voltage
V DD (V)
Output Power at 1dB G.C.P
P1dB (dBm)
Power Gain at 1dB G.C.P
G1dB (dB)
Power Added Efficiency
η add (%)
FMM5805GJ-1
17.7~19.7
6
31
20
27
FMM5807GJ-1
21.2~23.6
29
13
18
FMM5815GJ-1
17.7~19.7
31
20
25
FMM5811GJ-1
17.7~23.6
24.5
15
20
FMM5815GJ-1
17.7~19.7
31
20
25
　
Quasi Millimeter-wave Low Noise Amplifier Characteristics
Type
Frequency Range
(GHz)
Drain Voltage
VDD (V)
Noise Figure
NF (dB)
Associated Gain
Gas (dB)
Chip Size
(mm)
FMM5701X
18~28
5
1.5 *1
13.5 *1
0.45 x 0.52
FMM5702X
27~32
4
1.6 *2
13 *2
0.96 x 0.96
FMM5703X
24~32
3
2 *3
18 *3
1.56 x 1.16
FMM5704X
36~40
3
2 *4
18 *4
1.46 x 1.06
　
K~Ka Band Converter MMIC (Chip) Characteristics
Type
Usable Frequency Range
(GHz)
Conversion Gain
(dB)
Associated Current
(mA)
Features
FMM5116X
20~32
-8
140
Built-in frequency multiplier
(times 2)
FMM5117X
-10
MMIC for DBS (Direct Broadcast Satellite)
Down Converter MMIC for DBS
FMM5107ML
　
FMM5107MLT4E1
Single Oscillator MMIC for DBS
FMM5202ML
Dual Oscillator MMIC for DBS
FMM5201ML
　
FMM5201MLT4E1 
GaAs Microwave Frequency Divider (Prescalar) IC
Part Number
Power Supply
Current (typ.)
I SS (mA)
Operating Frequency Range
f
(GHz)
Supply Voltage
V DD (typ.)
(V)
Power Output
Po (typ.)
(dBm)
Ambient Temp. Range
(癈)
Package
FMM1061VJ *
120
2~6
5
4
-30 ~ +70
VJ
FMM1062ML *
20
2~6
3
-4
-40 ~ +85
ML
FMM106HG
140
2~6.5
5
4
-55 ~ +85
HG
FMM1103VJ *
90
2~12
5
8
-40 ~ +85
VJ
Note * : Part are available in Tape and Reel.
 

　

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传感器专家仪器仪表世界网：HTTP：//WWW.SENSOR-IC.COM/

智能工控公共安全网：HTTP：//WWW.PC-PS.NET/

消费电子专用电路网：HTTP://WWW.SUNSTARE.COM/

地址： 深圳市福田区福华路福庆街鸿图大厦1602室    E-MAIL：szss20@163.com

电话：0755-83397033 83396822

传真：0755-83376182  83338339   邮编：518033  手机：(0)13902971329

E-MAIL:xjr5@163.com  MSN: SUNS8888@hotmail.com  QQ: 195847376
  技术支持: 0755-83394033 1350156837

深圳展销部：深圳华强北路赛格电子市场2583号  TEL/FAX：0755-83665529  13823648918

北京分公司：北京海淀区知春路132号中发电子大厦3097号TEL：  18927445855  13823791822  FAX：010-62543996 

上海分公司：上海市北京东路668号上海賽格电子市场地下一层D25号 TEL：  56703037  13823676822  FAX：021-56703037

西安分公司：西安高新开发区20所(中国电子科技集团导航技术研究所)       西安劳动南路88号电子商城二楼D23号 

TEL：  18926764199  FAX:029-77678271　Copyright 2003 本网站由【SSTKJ实业】制作维护