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商运达实业传感器与智能控制分公司拥有雄厚的技术力量和财力基础。目前主要致力于仪器仪表的开发、生产,国外最新传感器及控制仪表的代理、销售;同时还为包括国家重点工程在内的项目提供控制工程配套及服务。公司目前已同美国(EP公司热式气体质量流量计,SM公司硅微压传感器)、日本、香港等国家和地区建立有紧密的合作关系,能够及时为国内用户
提供最新的技术产品和市场信息.
商运达实业传感器与智能控制分公司是专业生产流量压力测量仪表的制造商,其制造产品积累了十多年的使用和设计经验,推出了具有国际同等先进水平的系列高低压气体质量流量计、质量流量控制;系列气体压力电子控制器、压力变送器。系列漏气量测量仪,配气仪;并在此基础上努力拓展产品的技术能力和技术水平,形成了一系列新的技术产品,新的技术手段;目前我公司的技术产品和技术手段,在国内外已得到了广泛的使用和应用.
商运达实业传感器与智能控制分公司坚持“科技领先、用户至上”的原则,竭诚与各界人士广交朋友,共同发展。
 
 
 

*产品技术原理

压阻式:压阻式传感器是采用集成电路制造技术在半导体基片上直接生成扩散电阻并组成电桥,半导体材料通常为硅材料,所以压阻式传感器又常称为扩散硅压力传感器。由于采用了集成电路生产技术,这类传感器非常适合大批量生产,成本也很低,压阻式传感器面临的主要问题是受温度影响较大。

美国SMI微压传感器的技术原理

美国Silicon Microstructures INC.开发了一系列价位低、线性度在0.3%到0.05%范围内的硅微结构压阻式传感器,满量程为0.15psi(1KPa)、0.3psi(2KPa)、0.8psi(5KPa)、1.5psi(10KPa)、3 psi(20KPa)、最低满量程为0.15psi(1KPa),被列为超低压力测量范围。

美国SMI廉价的压阻式、超低压传感器成功的关键是它的创新的物理刻蚀设计。一般来说,硅微压力传感器芯片采用扁平膜来测量压力。SMI传感器芯片采用三维膜片结构,用硅刻蚀工艺将产生的应力(压力)集中在传感电阻处。这样在保持总体精度和线性度的同时仍有很高的灵敏度。80%的应力传递到膜片中的梁式区域,而膜片丢失的应力只有20%。
除了压阻器所处的四周外,膜片的所有部分都减薄,从而得到膜片的浮凸结构。由于传感器看起来象机械力放大器,因而便于把膜片运动的应力集中在压阻器上,增加的应力极大地提高了信号输出,膜片上的浮凸用做终止层。四周的薄膜有效地将器件密封起来。因此压力不会前后移动。此外,在器件的结构内,离子注入电阻形成压阻式惠斯登电桥,凹坑减少了器件的总震动质量。

硅芯片的加工过程和硅微结构如图1所示,
现逐步简述如下:

第一步是硅片的一面沉积外延层,上下两面形成氧化层。
第二步将P材料扩散到上方氧化层,形成压敏电阻半导体。
第三步半导体装金属接点。
第四步绕硅片中心四蚀刻掉部分硅片,形成一个环形的凹槽,这个凹槽的顶部只剩下外延层和氧化层,厚度仅约10µMI。
第五步从硅片上方蚀刻掉图1(eof.)所示的四块压阻半导体,剩下的四根条状的压敏电阻半导体作传感器的压阻敏感元件使用,再经多次蚀刻,将它们连接成惠斯登电桥。
第六部将硅片与底座粘结,连引线。底座分陶瓷和玻璃两层,中间有通气孔。
从图1(f)可见,当硅片上方受压时,其力将主要由四根条状的压阻半导体承受。由于应力集中,压阻的变化明显增加,从而大大提高了传感器的灵敏度。柜硅片下方中心四周蚀刻成凹槽状,见效了敏感部分的质量,有利于提高传感器上方与下方阻断:这部分只消耗约20%上方受压时产生的力。硅片的下凸部分,当传感器受力过大时将与玻璃相碰,因此它起挡板作用。这种三维的传感器结构显然与传统的平板式结构不同。
SMI压力传感器无需校准即能提供线性度优于1%的传感信号。因此,SMI压力传感器是一种性能优越、全集成化的单片硅器件。
SMI使用了一套专门设计的软件由计算机对传感器作静态和动态仿真,并进一步计算压力传感器芯片的尺寸,使灵敏度和线性度满足预定要求。在生产方面,官方采用双板、CMOS或EPROM等成功的工艺,从而提高器件的可靠性、增加成品率并降低成本。
图1 硅微传感器加工过程和结构示意图
 

 

*产品分类 外型尺寸和接口方式

一、产品分类

· 硅微压力传感器测量类型分类
A(绝压)  D(差压)  G(表压)
· 硅微压力传感器量程分类

0.15psi~3psi(1kPa~20 Pa)

  5651 5652  
5551 5552 型号命名为低压量程段
  5350 5450 5103


5psi~100psi(35kPa~700 Pa)


 
  5501 5502  
5310 5410 型号命名为高压量程段
  5350 5612 5102

· 硅微压力传感器以温补特征分类

55系列 56系列为带温补型,温度范围0~70°C,0~60°C
53系列 54系列 5102 5103芯片为不带温补型

· 硅微压力传感器以封装型式分类

55系列为塑封 56、54系列为陶瓷封装
5102、5103为裸片,即为传感器芯片,未加封装

· 硅微压力传感器以电气引脚方式分类

55系列为单列6引脚输出
53 54 56为双列6引脚输出

· 硅微压力传感器以驱动电源类型分类

5551 5501 5651 5611末位为“1”为恒流驱动工作
5552 5502 5652 5612 末位为“2”为恒压驱动工作
53系列 54系列 5102 5103即可以为恒流驱动工作,也可为恒压驱动工作


二、产品外形尺寸

附图2~图5
图2 SM53、SM54系列传感器外形尺寸图
图3 SM55系列传感器外形尺寸图
图4 SM56系列传感器外形尺寸图
图5 SM51系列传感器外形尺寸图

三、接口方式

通常采用软管连接,软管材质通常为胶 管,橡胶管,壁厚保证在1mm或者尼龙硬管配合连接。若采用金属管连接,需配置金属密封过渡接头。

四、产品型号总揽

量程:0.15psi(1KPa)、0.3psi(2KPa)、0.8psi(5KPa)、1.5psi(10KPa)
 









5551
压力测量类型
5651
表压---G
5350
5450
差压----D
5103
绝压---A

 









5552
压力测量类型
5652
表压---G
5450
5350
差压----D
5103
绝压---A


量程 5psi(35KPa)、15psi(100KPa)、30psi(200KPa)、60psi(400KPa)、100psi(700KPa)









5501
压力测量类型
5611
表压---G
5410
5310
差压----D
5102
绝压---A

 

 









5502
压力测量类型
5612
表压---G
5410
5310
差压----D
5102
绝压---A

 

 

*产品技术参数

一、 SM55系列产品技术参数
(一)、电气连接方式 附图6、图7

图6 SM5501型和SM5502型电气连接方式

图7 SM5551型和SM5552型电气连接方式

(二)、SM55系列性能指标及测试条件
1、5501型,Iexc=1.5mA T=25°C; 5502型,Vexc=10.0V

参数 最小值 标准值 最大值 单位
激励
电流(5501)
电压(5502)

0.00
0.00

1.50
10.00

3.00
20.00

mA
V
输出(FS)
FS(5501)*
FS(5502)
零压

50.0
49.5
-1.00

100.0
50.0
. +/-0.2

170.0
50.5
1.00

mV
mV
mV
温度系数
满量程**
零点**
温度滞后

-1.20
-1.20
-0.15

±0.20
 

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