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管芯器件，没有塑料或陶瓷封装的限制，可以应用在环境要求更高的场合。 HMC管芯应用注意事项 管芯器件，没有塑料或陶瓷封装的限制，可以应用在环境要求更高的场合。管芯应用也有它的特殊性。体积小，人眼不易观察，需要借助于高倍显微镜；由于没有封装，管芯对ESD保护要求更严格，芯片表面脆弱的空气桥更容易受到外物划伤。所以在使用过程中必须十分小心。 1、外观检查 需要借助高倍显微镜，主要观察管芯的表面是否完好无损，芯片标识是否清楚等等。一般情况下，Hittite所有的管芯表面都是非常平整，没有污点或者坑点的。
若发现有表面有异常，主要分为两种情况： 一种是，芯片表面存在微小坑点，且上方镀金层颗粒完好无损，如图1。这个属于正常现象。 Hittite的管芯器件满足军用级要求（MIL-STD-883）。在外观检查上，MIL-STD-883 Method 2010有明确的检查标准: No device shall be acceptable that exhibits the following defects in the operating metallization.
图1 正常 图2 异常
另外一种情况，如图2，管芯表面镀金层被破坏，发现明显的损坏痕迹，这个是在可能是由于挤压或者用镊子等工具取管芯时，没有夹在边缘，碰到电路所致。 2、焊接搭线技术 如图3所示, 一般情况下，管芯输入输出50 Ohms匹配的微带传输线所在的氧化铝薄膜介质，厚度为0.127mm（5 mil）。如图4所示，如果要使用厚度为0.254mm（10mil）的氧化铝薄膜介质，由于管芯的厚度为0.102mm（4mil），就必须在管芯底下垫上厚度为0.150mm（6mil）的散热片，这样才能使管芯表面和微带线表面在同一水平位置上。  
图3 管芯与微带线持平 图4 管芯底部加散热片 管芯和微带线之间用金丝搭接，为了减少搭丝的长度，管芯和微带线的间距越小越好，一般在0.076mm到0.152mm（3 mil到6 mil）之间。
存储：从生产到运输，管芯都必须保存在防静电环境里。一旦防静电袋子开封，管芯就应该保存在干燥的氮环境里。 清洁：装配过程中，确保环境干净。不能用酒精等液体清洁管芯。 移动：移动管芯时，只能用镊子或者真空夹头夹住芯片的边缘。管芯表面是脆弱的空气桥，所以绝对禁止镊子、手指等接触。 焊接：管芯底部金属要直接接地，以保证器件的射频性能，并达到良好的散热作用。 搭金丝：微带线和管芯间的搭线为纯金丝，直径为0.025mm（1mil）。搭接时，应该先连管芯再连接微带线或者其他封装。搭线的长度越短越好，一般小于0.31mm（12mil） 3、产品应用 在指标上，与相同型号的塑料或者陶瓷封装产品基本一致。放大器的应用： 以HMC463为例说明放大器的应用。HMC463是宽频带2.0-20.0GHz的GaAs MMIC低噪声放大器。图5 HMC463应用电路 Vdd是供电+5V电源供电。 Vgg1是栅极负压供电，调整Vgg1电压值改变漏极电流。正常情况Idd＝60mA，Vgg1的电压范围在-1.5V - -0.5V之间，典型值为-0.9V。 
GaAs MMIC器件最重要是供电顺序: 1、给电源给漏极供电的负极接地，给栅极供电的正极接地。确保两个电压值都为零。 2、增大栅极负压值，这里说的增大负压值就是使放大器的栅极获得更多的“负”电压，使其进入“夹断”区（pinch off）。对于PHEMT工艺的器件，通常所需要的电压值是-1V。此时因为漏极电压仍为零，所以没有漏极电流。 3、给漏极提供电压+5V，逐渐减少Vgg1的电压，漏极电流逐渐提高，直到想要的电流值，如60mA。 开关的应用 如图，以HMC240为例说明射频开关的应用。HMC240是一个低成本的GaAs MESFET 单刀双掷开关。 控制电压可以为正电压值，也可以为负电压。
图6 HMC240应用电路
客户在使用该类器件时，不管是正压还是负压控制，考虑到对前后器件的影响，我们推荐RFC、RF1、RF2三个端口都必须要加隔直电容。 隔直电容的大小根据应用频率而定，一般是频率高时电容容值小，频率低时容值大。
参考文献：
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