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工业级宽温44针IDE闪存模块
APRO工业宽温44针IDE闪存模块又称DOM盘，它采用了先进的SMI闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术，工业级常温闪存模块工作温度是
-40℃
～
+85℃
。灵活的外形设计能满足不同客户的需求，安装方式可选择垂直安装或水平安装，其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质，所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用，APRO工业闪存模块是最佳选择方案。
特点
●
闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术
●
真正支持IDE模式
●
数据传输模式PIO-4或者UDMA-4
●
支持磨损平整和先进的坏区管理算法
●
可选择垂直安装或水平安装
●
可选择主盘/从盘设置
●
工作电压 +5V
●
存储容量从128MB～32GB
●
工作温度范围
-40℃
～ +85℃
规格说明
|
●符合RoSH环保
有
●兼容性
ATAPI-6和Ture
IDE
●闪存技术
NAND型SLC Flash
●样式
垂直型和水平
◆连接
44针
●系统性能
◆数据传输方式
PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率
66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读
45.0MB/sec(Max)
◆连续写
31.0MB/sec(Max)
◆平均访问时间
0.2ms(估计)
●环境指标
◆工作温度
-40℃ ～ +85℃
◆非工作温度
-50℃ ～ +95℃
◆湿度
5%
～95%(无凝结)
◆噪声
0db
◆抗震动
20G
,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆电压要求
+5V±10%
;
◆读电流
50.4
mA(Max.);
◆写电流
59.4
mA(Max.);
◆休眠模式电流
0.2 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（无故障工作时间）
3.000.000
小时以上
◆纠错码
采用4
bits ECC Code
◆读写次数 2.000.000次
◆数据可靠性
每读
1014
比特出现不多于1次不可恢复的错误
◆数据保存期
10年
●物理尺度
◆重量
(最大的)
垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)
◆尺寸(宽*长*高)
垂直型52.2mm
*23.8mm
*6.5mm:
水平型44.0mm*28.0mm*5.8mm
●质保
5年
|
产品订购信息（型号清单）
|
样式
|
40针IDE闪存模块
|
|
工作温度
|
-40℃
～
+85℃
|
|
产品图片 |
容量
|
类型
|
PIO-4
|
UDMA-4
|
|
44针垂直型
|
128MB
|
垂直
|
WPMIF128M-MAISI-4V-P
|
WPMIF128M-MAISI-4V-U
|
|
128MB
|
水平右
|
WBMIF128M-MAISI-4R-P
|
WBMIF128M-MAISI-4R-U
|
|
128MB
|
水平左
|
WBMIF128M-MAISI-4L-P
|
WBMIF128M-MAISI-4L-U
|
|
 |
256MB
|
垂直
|
WPMIF256M-MAISI-4V-P
|
WPMIF256M-MAISI-4V-U
|
|
256MB
|
水平右
|
WBMIF256M-MAISI-4R-P
|
WBMIF256M-MAISI-4R-U
|
|
256MB
|
水平左
|
WBMIF256M-MAISI-4L-P
|
WBMIF256M-MAISI-4L-U
|
|
512MB
|
垂直
|
WPMIF512M-MAISI-4V-P
|
WPMIF512M-MAISI-4V-U
|
|
512MB
|
水平右
|
WBMIF512M-MAISI-4R-P
|
WBMIF512M-MAISI-4R-U
|
|
512MB
|
水平左
|
WBMIF512M-MAISI-4L-P
|
WBMIF512M-MAISI-4L-U
|
|
44针水平型向右
|
1GB
|
垂直
|
WPMIF001G-MAISI-4V-P
|
WPMIF001G-MAISI-4V-U
|
|
1GB
|
水平右
|
WBMIF001G-MAISI-4R-P
|
WBMIF001G-MAISI-4R-U
|
|
1GB
|
水平左
|
WBMIF001G-MAISI-4L-P
|
WBMIF001G-MAISI-4L-U
|
|
 |
2GB
|
垂直
|
WPMIF002G-MAISI-4V-P
|
WPMIF002G-MAISI-4V-U
|
|
2GB
|
水平右
|
WBMIF002G-MAISI-4R-P
|
WBMIF002G-MAISI-4R-U
|
|
2GB
|
水平左
|
WBMIF002G-MAISI-4L-P
|
WBMIF002G-MAISI-4L-U
|
|
4GB
|
垂直
|
WPMIF004G-MAISI-4V-P
|
WPMIF004G-MAISI-4V-U
|
|
4GB
|
水平右
|
WBMIF004G-MAISI-4R-P
|
WBMIF004G-MAISI-4R-U
|
|
4GB
|
水平左
|
WBMIF004G-MAISI-4L-P
|
WBMIF004G-MAISI-4L-U
|
|
44针水平型向左
|
8GB
|
垂直
|
WPMIF008G-MAISI-4V-P
|
WPMIF008G-MAISI-4V-U
|
|
8GB
|
水平右
|
WBMIF008G-MAISI-4R-P
|
WBMIF008G-MAISI-4R-U
|
|
8GB
|
水平左
|
WBMIF008G-MAISI-4L-P
|
WBMIF008G-MAISI-4L-U
|
|
 |
16GB
|
垂直
|
WPMIF016G-MAISI-4V-P
|
WPMIF016G-MAISI-4V-U
|
|
16GB
|
水平右
|
WBMIF016G-MAISI-4R-P
|
WBMIF016G-MAISI-4R-U
|
|
16GB
|
水平左
|
WBMIF016G-MAISI-4L-P
|
WBMIF016G-MAISI-4L-U
|
|
32GB
|
垂直
|
WPMIF032G-MAISI-4V-P
|
WPMIF032G-MAISI-4V-U
|
|
32GB
|
水平右
|
WBMIF032G-MAISI-4R-P
|
WBMIF032G-MAISI-4R-U
|
|
32GB
|
水平左
|
WBMIF032G-MAISI-4L-P
|
WBMIF032G-MAISI-4L-U
|
|
|
|
|
工业级宽温40针IDE闪存模块
APRO工业宽温40针IDE闪存模块又称DOM盘，它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术，工业级宽温闪存模块工作温度是
-40℃
～
+85℃
。灵活的外形设计能满足不同客户的需求，安装方式可选择垂直安装或水平安装，其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质，所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用，APRO工业闪存模块是最佳选择方案。
特点
●
闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术
●
真正支持IDE模式
●
数据传输模式PIO-4或者UDMA-4
●
支持磨损平整和先进的坏区管理算法
●
可选择垂直安装或水平安装
●
可选择主盘/从盘设置
●
工作电压 +5V
●
存储容量从128MB～32GB
●
工作温度范围
-40℃
～ +85℃
规格说明
|
●符合RoSH环保
有
●兼容性
ATAPI-6和Ture
IDE
●闪存技术
NAND型SLC Flash
●样式
垂直型和水平
◆连接
40针
●系统性能
◆数据传输方式
PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率
66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读
40.0MB/sec(Max)
◆连续写
17.0MB/sec(Max)
◆平均访问时间
0.2ms(估计)
●环境指标
◆工作温度
-40℃ ～ +85℃
◆非工作温度
-50℃ ～ +95℃
◆湿度
5%
～95%(无凝结)
◆噪声
0db
◆抗震动
20G
,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆电压要求
+5V±10%
;
◆读电流
128.0
mA(Max.);
◆写电流
118.0
mA(Max.);
◆休眠模式电流
1.8 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（无故障工作时间）
3.000.000
小时以上
◆纠错码
采用4
bits ECC Code
◆读写次数 2.000.000次
◆数据可靠性
每读
1014
比特出现不多于1次不可恢复的错误
◆数据保存期
10年
●物理尺度
◆重量
(最大的)
垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)
◆尺寸(宽*长*高)
垂直型60.2mm
*27.79mm
*6.4mm:
水平型55.0mm*32.4mm*7.4mm
●质保
5年
|
产品订购信息（型号清单）
|
样式
|
40针IDE闪存模块
|
|
工作温度
|
-40℃
～
+85℃
|
|
产品图片 |
容量
|
类型
|
PIO-4
|
UDMA-4
|
|
40针垂直型
|
128MB
|
垂直
|
WPMIF128M-HAISI-0V-P
|
WPMIF128M-HAISI-0V-U
|
|
128MB
|
水平右
|
WBMIF128M-HAISI-0R-P
|
WBMIF128M-HAISI-0R-U
|
|
128MB
|
水平左
|
WBMIF128M-HAISI-0L-P
|
WBMIF128M-HAISI-0L-U
|
|
 |
256MB
|
垂直
|
WPMIF256M-HAISI-0V-P
|
WPMIF256M-HAISI-0V-U
|
|
256MB
|
水平右
|
WBMIF256M-HAISI-0R-P
|
WBMIF256M-HAISI-0R-U
|
|
256MB
|
水平左
|
WBMIF256M-HAISI-0L-P
|
WBMIF256M-HAISI-0L-U
|
|
512MB
|
垂直
|
WPMIF512M-HAISI-0V-P
|
WPMIF512M-HAISI-0V-U
|
|
512MB
|
水平右
|
WBMIF512M-HAISI-0R-P
|
WBMIF512M-HAISI-0R-U
|
|
512MB
|
水平左
|
WBMIF512M-HAISI-0L-P
|
WBMIF512M-HAISI-0L-U
|
|
40针水平型向右
|
1GB
|
垂直
|
WPMIF001G-HAISI-0V-P
|
WPMIF001G-HAISI-0V-U
|
|
1GB
|
水平右
|
WBMIF001G-HAISI-0R-P
|
WBMIF001G-HAISI-0R-U
|
|
1GB
|
水平左
|
WBMIF001G-HAISI-0L-P
|
WBMIF001G-HAISI-0L-U
|
|
 |
2GB
|
垂直
|
WPMIF002G-HAISI-0V-P
|
WPMIF002G-HAISI-0V-U
|
|
2GB
|
水平右
|
WBMIF002G-HAISI-0R-P
|
WBMIF002G-HAISI-0R-U
|
|
2GB
|
水平左
|
WBMIF002G-HAISI-0L-P
|
WBMIF002G-HAISI-0L-U
|
|
4GB
|
垂直
|
WPMIF004G-HAISI-0V-P
|
WPMIF004G-HAISI-0V-U
|
|
4GB
|
水平右
|
WBMIF004G-HAISI-0R-P
|
WBMIF004G-HAISI-0R-U
|
|
4GB
|
水平左
|
WBMIF004G-HAISI-0L-P
|
WBMIF004G-HAISI-0L-U
|
|
40针水平型向左
|
8GB
|
垂直
|
WPMIF008G-HAISI-0V-P
|
WPMIF008G-HAISI-0V-U
|
|
8GB
|
水平右
|
WBMIF008G-HAISI-0R-P
|
WBMIF008G-HAISI-0R-U
|
|
8GB
|
水平左
|
WBMIF008G-HAISI-0L-P
|
WBMIF008G-HAISI-0L-U
|
|
 |
16GB
|
垂直
|
WPMIF016G-HAISI-0V-P
|
WPMIF016G-HAISI-0V-U
|
|
16GB
|
水平右
|
WBMIF016G-HAISI-0R-P
|
WBMIF016G-HAISI-0R-U
|
|
16GB
|
水平左
|
WBMIF016G-HAISI-0L-P
|
WBMIF016G-HAISI-0L-U
|
|
32GB
|
垂直
|
WPMIF032G-HAISI-0V-P
|
WPMIF032G-HAISI-0V-U
|
|
32GB
|
水平右
|
WBMIF032G-HAISI-0R-P
|
WBMIF032G-HAISI-0R-U
|
|
32GB
|
水平左
|
WBMIF032G-HAISI-0L-P
|
WBMIF032G-HAISI-0L-U
|
|
|
|
|
工业级常温44针IDE闪存模块
APRO工业常温44针IDE闪存模块又称DOM盘，它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术，工业级常温闪存模块工作温度是
0℃
～
70℃
。灵活的外形设计能满足不同客户的需求，安装方式可选择垂直安装或水平安装，其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质，所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用，APRO工业闪存模块是最佳选择方案。
特点
●
闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术
●
真正支持IDE模式
●
数据传输模式PIO-4或者UDMA-4
●
支持磨损平整和先进的坏区管理算法
●
可选择垂直安装或水平安装
●
可选择主盘/从盘设置
●
工作电压 +5V
●
存储容量从128MB～32GB
●
工作温度范围0℃
～ 70℃
规格说明
|
●符合RoSH环保
有
●兼容性
ATAPI-6和Ture
IDE
●闪存技术
NAND型SLC Flash
●样式
垂直型和水平
◆连接
44针
●系统性能
◆数据传输方式
PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率
66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读
40.0MB/sec(Max)
◆连续写
17.0MB/sec(Max)
◆平均访问时间
0.2ms(估计)
●环境指标
◆工作温度
0℃ ～ 70℃
◆非工作温度
-20℃ ～ +85℃
◆湿度
5%
～95%(无凝结)
◆噪声
0db
◆抗震动
20G
,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆电压要求
+5V±10%
;
◆读电流
128.0
mA(Max.);
◆写电流
118.0
mA(Max.);
◆休眠模式电流
1.8 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（无故障工作时间）
3.000.000
小时以上
◆纠错码
采用4
bits ECC Code
◆读写次数 2.000.000次
◆数据可靠性
每读
1014
比特出现不多于1次不可恢复的错误
◆数据保存期
10年
●物理尺度
◆重量
(最大的)
垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)
◆尺寸(宽*长*高)
垂直型50.25mm
*27.27mm
*5.8mm:
水平型48.0mm*32.6mm*4.5mm
●质保
3年
|
产品订购信息（型号清单）
|
样式
|
44针IDE闪存模块
|
|
工作温度
|
0℃
～
70℃
|
|
产品图片 |
容量
|
类型
|
PIO-4
|
UDMA-4
|
|
44针垂直型
|
128MB
|
垂直
|
SPMIF128M-HACSC-4V-P
|
SPMIF128M-HACSC-4V-U
|
|
128MB
|
水平右
|
SBMIF128M-HACSC-4R-P
|
SBMIF128M-HACSC-4R-U
|
|
128MB
|
水平左
|
SBMIF128M-HACSC-4L-P
|
SBMIF128M-HACSC-4L-U
|
|
 |
256MB
|
垂直
|
SPMIF256M-HACSC-4V-P
|
SPMIF256M-HACSC-4V-U
|
|
256MB
|
水平右
|
SBMIF256M-HACSC-4R-P
|
SBMIF256M-HACSC-4R-U
|
|
256MB
|
水平左
|
SBMIF256M-HACSC-4L-P
|
SBMIF256M-HACSC-4L-U
|
|
512MB
|
垂直
|
SPMIF512M-HACSC-4V-P
|
SPMIF512M-HACSC-4V-U
|
|
512MB
|
水平右
|
SBMIF512M-HACSC-4R-P
|
SBMIF512M-HACSC-4R-U
|
|
512MB
|
水平左
|
SBMIF512M-HACSC-4L-P
|
SBMIF512M-HACSC-4L-U
|
|
44针水平型向右
|
1GB
|
垂直
|
SPMIF001G-HACSC-4V-P
|
SPMIF001G-HACSC-4V-U
|
|
1GB
|
水平右
|
SBMIF001G-HACSC-4R-P
|
SBMIF001G-HACSC-4R-U
|
|
1GB
|
水平左
|
SBMIF001G-HACSC-4L-P
|
SBMIF001G-HACSC-4L-U
|
|
 |
2GB
|
垂直
|
SPMIF002G-HACSC-4V-P
|
SPMIF002G-HACSC-4V-U
|
|
2GB
|
水平右
|
SBMIF002G-HACSC-4R-P
|
SBMIF002G-HACSC-4R-U
|
|
2GB
|
水平左
|
SBMIF002G-HACSC-4L-P
|
SBMIF002G-HACSC-4L-U
|
|
4GB
|
垂直
|
SPMIF004G-HACSC-4V-P
|
SPMIF004G-HACSC-4V-U
|
|
4GB
|
水平右
|
SBMIF004G-HACSC-4R-P
|
SBMIF004G-HACSC-4R-U
|
|
4GB
|
水平左
|
SBMIF004G-HACSC-4L-P
|
SBMIF004G-HACSC-4L-U
|
|
44针水平型向左
|
8GB
|
垂直
|
SPMIF008G-HACSC-4V-P
|
SPMIF008G-HACSC-4V-U
|
|
8GB
|
水平右
|
SBMIF008G-HACSC-4R-P
|
SBMIF008G-HACSC-4R-U
|
|
8GB
|
水平左
|
SBMIF008G-HACSC-4L-P
|
SBMIF008G-HACSC-4L-U
|
|
 |
16GB
|
垂直
|
SPMIF016G-HACSC-4V-P
|
SPMIF016G-HACSC-4V-U
|
|
16GB
|
水平右
|
SBMIF016G-HACSC-4R-P
|
SBMIF016G-HACSC-4R-U
|
|
16GB
|
水平左
|
SBMIF016G-HACSC-4L-P
|
SBMIF016G-HACSC-4L-U
|
|
32GB
|
垂直
|
SPMIF032G-HACSC-4V-P
|
SPMIF032G-HACSC-4V-U
|
|
32GB
|
水平右
|
SBMIF032G-HACSC-4R-P
|
SBMIF032G-HACSC-4R-U
|
|
32GB
|
水平左
|
SBMIF032G-HACSC-4L-P
|
SBMIF032G-HACSC-4L-U |
|
|
|
|
工业级宽温44针IDE闪存模块
APRO工业宽温44针IDE闪存模块又称DOM盘，它采用了先进的Hyperstone闪存控制芯片和NAND类型的SLC闪存技术，工业级宽温闪存模块工作温度是
-40℃
～
+85℃
。灵活的外形设计能满足不同客户的需求，安装方式可选择垂直安装或水平安装，其中水平安装又分为水平型向右安装或者水平型向左安装。闪存模块的优点在于数据不丢失和使用半导体存储介质，所以对于需要长时间稳定数据存储关键的应用，APRO工业闪存模块是最佳选择方案。
特点
●
闪存模块采用了NAND型的SLC闪存技术
●
真正支持IDE模式
●
数据传输模式PIO-4或者UDMA-4
●
支持磨损平整和先进的坏区管理算法
●
可选择垂直安装或水平安装
●
可选择主盘/从盘设置
●
工作电压 +5V
●
存储容量从128MB～32GB
●
工作温度范围
-40℃
～ +85℃
规格说明
|
●符合RoSH环保
有
●兼容性
ATAPI-6和Ture
IDE
●闪存技术
NAND型SLC Flash
●样式
垂直型和水平
◆连接
44针
●系统性能
◆数据传输方式
PIO-4或者UDMA-4
◆数据传输速率
66.6MB/sec 在UDMA-4方式下测试速度
◆连续读
40.0MB/sec(Max)
◆连续写
17.0MB/sec(Max)
◆平均访问时间
0.2ms(估计)
●环境指标
◆工作温度
-40℃ ～ +85℃
◆非工作温度
-50℃ ～ +95℃
◆湿度
5%
～95%(无凝结)
◆噪声
0db
◆抗震动
20G
,符合美军准MIL-STD-810F
◆抗冲击 1.500G,符合美军准MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆电压要求
+5V±10%
;
◆读电流
128.0
mA(Max.);
◆写电流
118.0
mA(Max.);
◆休眠模式电流
1.8 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（无故障工作时间）
3.000.000
小时以上
◆纠错码
采用4
bits ECC Code
◆读写次数 2.000.000次
◆数据可靠性
每读
1014
比特出现不多于1次不可恢复的错误
◆数据保存期
10年
●物理尺度
◆重量
(最大的)
垂直型 20.0 g (0.7 oz );水平型15.0g(0.53oz)
◆尺寸(宽*长*高)
垂直型50.25mm
*27.27mm
*5.8mm:
水平型48.0mm*32.6mm*4.5mm
●质保
5年
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产品订购信息（型号清单）
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样式
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40针IDE闪存模块
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工作温度
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-40℃
～
+85℃
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产品图片 |
容量
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类型
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PIO-4
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UDMA-4
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44针垂直型
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128MB
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垂直
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WPMIF128M-HAISI-4V-P
|
WPMIF128M-HAISI-4V-U
|
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128MB
|
水平右
|
WBMIF128M-HAISI-4R-P
|
WBMIF128M-HAISI-4R-U
|
|
128MB
|
水平左
|
WBMIF128M-HAISI-4L-P
|
WBMIF128M-HAISI-4L-U
|
|
 |
256MB
|
垂直
|
WPMIF256M-HAISI-4V-P
|
WPMIF256M-HAISI-4V-U
|
|
256MB
|
水平右
|
WBMIF256M-HAISI-4R-P
|
WBMIF256M-HAISI-4R-U
|
|
256MB
|
水平左
|
WBMIF256M-HAISI-4L-P
|
WBMIF256M-HAISI-4L-U
|
|
512MB
|
垂直
|
WPMIF512M-HAISI-4V-P
|
WPMIF512M-HAISI-4V-U
|
|
512MB
|
水平右
|
WBMIF512M-HAISI-4R-P
|
WBMIF512M-HAISI-4R-U
|
|
512MB
|
水平左
|
WBMIF512M-HAISI-4L-P
|
WBMIF512M-HAISI-4L-U
|
|
44针水平型向右
|
1GB
|
垂直
|
WPMIF001G-HAISI-4V-P
|
WPMIF001G-HAISI-4V-U
|
|
1GB
|
水平右
|
WBMIF001G-HAISI-4R-P
|
WBMIF001G-HAISI-4R-U
|
|
1GB
|
水平左
|
WBMIF001G-HAISI-4L-P
|
WBMIF001G-HAISI-4L-U
|
|
 |
2GB
|
垂直
|
WPMIF002G-HAISI-4V-P
|
WPMIF002G-HAISI-4V-U
|
|
2GB
|
水平右
|
WBMIF002G-HAISI-4R-P
|
WBMIF002G-HAISI-4R-U
|
|
2GB
|
水平左
|
WBMIF002G-HAISI-4L-P
|
WBMIF002G-HAISI-4L-U
|
|
4GB
|
垂直
|
WPMIF004G-HAISI-4V-P
|
WPMIF004G-HAISI-4V-U
|
|
4GB
|
水平右
|
WBMIF004G-HAISI-4R-P
|
WBMIF004G-HAISI-4R-U
|
|
4GB
|
水平左
|
WBMIF004G-HAISI-4L-P
|
WBMIF004G-HAISI-4L-U
|
|
44针水平型向左
|
8GB
|
垂直
|
WPMIF008G-HAISI-4V-P
|
WPMIF008G-HAISI-4V-U
|
|
8GB
|
水平右
|
WBMIF008G-HAISI-4R-P
|
WBMIF008G-HAISI-4R-U
|
|
8GB
|
水平左
|
WBMIF008G-HAISI-4L-P
|
WBMIF008G-HAISI-4L-U
|
|
 |
16GB
|
垂直
|
WPMIF016G-HAISI-4V-P
|
WPMIF016G-HAISI-4V-U
|
|
16GB
|
水平右
|
WBMIF016G-HAISI-4R-P
|
WBMIF016G-HAISI-4R-U
|
|
16GB
|
水平左
|
WBMIF016G-HAISI-4L-P
|
WBMIF016G-HAISI-4L-U
|
|
32GB
|
垂直
|
WPMIF032G-HAISI-4V-P
|
WPMIF032G-HAISI-4V-U
|
|
32GB
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水平右
|
WBMIF032G-HAISI-4R-P
|
WBMIF032G-HAISI-4R-U
|
|
32GB
|
水平左
|
WBMIF032G-HAISI-4L-P
|
WBMIF032G-HAISI-4L-U
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