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DDR-400
DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133 SDRAM的两倍，并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名，DDR
SDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波，“0”到“1”之间为上升缘，“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中，只使用其中一个缘，但DDR
SDRAM使用两个缘，使数据传输率提高了两倍。
此为DDR-400 CL3 Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到1GB，由32/64MX8位TSOP
II封装的DDR-400同步DRAM组成，用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中。
JEDEC Standard
DDR Speed Grade : 400Mbps
Unbuffered DIMM : 184-pin
Memory Organization : x8 TSOP II DRAM chip
DDR DRAM interface : SSTL_25
CAS latency : 3-3-3
Bandwidth : 3200MB/s
VDD voltage : 2.6+-0.1V
VDDQ voltage : 2.6+-0.1V
Standard OP Temp.: 0℃~+70℃
Industrial OP Temp.: -40℃~+85℃
Serial presence detect with EEPROM
PCB height : 1.18 inch
RoHS Compliant
Application : Desktop
DDR-266
DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133 SDRAM的两倍，并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名，DDR
SDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波，“0”到“1”之间为上升缘，“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中，只使用其中一个缘，但DDR
SDRAM使用两个缘，使数据传输率提高了两倍。
此为DDR-266 CL2
Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到1GB，由32/64MX8位TSOP
II封装的DDR-266同步DRAM组成，用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中。
JEDEC Standard
DDR Speed Grade : 266Mbps
Unbuffered DIMM : 184-pin
Memory Organization : x8 TSOP II DRAM chip
DDR DRAM interface : SSTL_25
CAS latency : 2-3-3
Bandwidth : 2100MB/s
VDD voltage : 2.5+-0.2V
VDDQ voltage : 2.5+-0.2V
Standard OP Temp.: 0℃~+70℃
Serial presence detect with EEPROM
PCB height : 1.18 inch
RoHS Compliant
Application : Desktop
DDR-333
DDR内存的数据带宽是传统PC100或PC133 SDRAM的两倍，并且特别适用于对CPU内存性能要求极高的高性能服务器和工作站。正如其名，DDR
SDRAM是双倍数据速率SDRAM。一个时钟周期可表示为一个方波，“0”到“1”之间为上升缘，“1”到“0”之间为下降缘。在SDRAM中，只使用其中一个缘，但DDR
SDRAM使用两个缘，使数据传输率提高了两倍。
此为DDR-333 CL2.5 Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到1GB，由32/64MX8位TSOP
II封装的DDR-333同步DRAM组成，用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中。
JEDEC Standard
DDR Speed Grade : 333Mbps
Unbuffered DIMM : 184-pin
Memory Organization : x8 TSOP II DRAM chip
DDR DRAM interface : SSTL_25
CAS latency : 2.5-3-3
Bandwidth : 2700MB/s
VDD voltage : 2.5+-0.2V
VDDQ voltage : 2.5+-0.2V
Standard OP Temp.: 0℃~+70℃
Serial presence detect with EEPROM
PCB height : 1.18 inch
RoHS Compliant
Application : Desktop
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