由于云计算技术的出现，耗电低和外形小的刀片式服务器成为了工作站管理员的最佳选择，

因为它为中小型企业(SME)节省了大量成本。为了帮助中小型企业达到“环保”和高效运行

的要求，Apacer——全球领先的内存制造商——推出了适用于中低级刀片式服务器带错误检

测与纠正(ECC)的4GB DDR3-1333 VLP UDIMM内存模组。与相同容量的ECC Register DIMM相

比，其耗电量减少了18%(1.5V电压下)，是中小型企业存储设备的理想解决方案。

ApacerFully Buffered DIMM(FB-DIMM)技术是一种新型内存结构，满足企业平台(取代以前的并行系统)对高容量和带宽的要求。与现有的DDR和DDR-2系统相比，FB-DIMM在容量和带宽上有大幅提升。此外，FB-DIMM还拥有更高的RAS特性，这是服务器平台的一个关键要求。
作为Intel的五大Fully Buffered DIMM通道合作商之一,Apacer通过完美的FB-DIMM解决方案为客户提供优质产品与售后服务。
此款为DDR2-667 CL5 Fully Buffered DIMM。该模组密度从512MB到4GB，由FBGA封装的DDR2-667MHz同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热

性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应

特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降

低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4

G，可显著提升内存模组的容量。
此为DDR2-800 CL5 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到2GB，由64/128MX8位

FBGA封装的DDR2-800同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热

性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应

特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降

低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4

G，可显著提升内存模组的容量。
DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热

性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应

特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降

低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4

G，可显著提升内存模组的容量。

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热

性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应

特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降

低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4

G，可显著提升内存模组的容量。
此为DDR2-533 CL4 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从512MB到2GB，由64/128MX8位

FBGA封装的DDR2-533同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热

性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应

特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降

低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4

G，可显著提升内存模组的容量。
此为DDR-333 CL2.5 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从256MB到1GB，由64/128MX8位

FBGA封装的DDR2-800同步DRAM组成，用于安装在184脚侧边卡连接器插槽中。

DDR2是新一代的DDR内存革新技术。DDR2内存的速度更快、数据带宽更大、耗电更少、散热

性能更高。DDR2内存芯片使用球型阵列封装(Fine-pitch BGA，FBGA)，加强了电气与热感应

特性。此外，DDR2内存芯片也将整合内存信号终端电阻(On-Die Termination，ODT)，以降

低高速传输时的内存信号反射，进而提升时序预留空间。DDR2内存芯片的最高容量可达到4

G，可显著提升内存模组的容量。
此为DDR-400 CL3 ECC Unbuffered内存模组。该模组密度从256MB到1GB，由32/64MX8位TSOP

II封装的DDR-400同步DRAM组成，用于安装在180脚侧边卡连接器插槽中。

64/128MX8位FBGA封装的DDR2-667同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。

ApacerFully Buffered DIMM(FB-DIMM)技术是一种新型内存结构，满足企业平台(取代以前的并行系统)对高容量和带宽的要求。与现有的DDR和DDR-2系统相比，FB-DIMM在容量和带宽上有大幅提升。此外，FB-DIMM还拥有更高的RAS特性，这是服务器平台的一个关键要求。
作为Intel的五大Fully Buffered DIMM通道合作商之一,Apacer通过完美的FB-DIMM解决方案为客户提供优质产品与售后服务。
此款为DDR2-667 CL5 Fully Buffered DIMM。该模组密度从512MB到4GB，由FBGA封装的DDR2-667MHz同步DRAM组成，用于安装在240脚侧边卡连接器插槽中。