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雪崩二极管(APD) > 返回产品信息
APD(雪崩二极管)是通过施加反向偏压,使其高速和高增益工作的高灵敏度光电二极管。它比PIN光电二极管相比,具有更高的信噪比,被广泛应用于光学测距仪、空间光传输、闪烁侦检器等等。
 
硅APD (42)
硅APD是内部具有增益机制的高速、高灵敏度光电二极管,可用于甚低光量测量。

按感光面积筛选  不限0.2mm 0.5mm 1mm 1.5mm 2mm 3mm 5mm 10mm

按封装筛选  不限金属 陶瓷 塑料

按光谱响应范围(最小值)筛选  不限200-1000nm 320-1000nm 400-1000nm 440-1100nm 600-1150nm

 全部不限
产品图像 产品型号 产品名称 类型 感光面积 光谱响应范围(最小值) 截止频率(典型值) 击穿电压(典型值)
  S2384 硅APD 近红外型(低偏置) φ3 mm 400 to 1000 nm 120 MHz 150 V
  S2385 硅APD 近红外型(低偏置) φ5 mm 400 to 1000 nm 40 MHz 150 V
  S3884 硅APD 近红外型(低偏置) φ1.5 mm 400 to 1000 nm 400 MHz 150 V
  S5344 硅APD 短波长型(低偏置) φ3 mm 200 to 1000 nm 25 MHz 150 V
  S5345 硅APD 短波长型(低偏置) φ5 mm 200 to 1000 nm 8 MHz 150 V
  S6045-04 硅APD 近红外型(低温度系数) φ1.5 mm 400 to 1000 nm 350 MHz 200 V
  S6045-05 硅APD 近红外型(低温度系数) φ3 mm 400 to 1000 nm 80 MHz 200 V
  S6045-06 硅APD 近红外型(低温度系数) φ5 mm 400 to 1000 nm 35 MHz 120 pF
  S8664-02K 硅APD 短波长型(低结电容) φ0.2 mm 320 to 1000 nm 700 MHz 400 V
  S8664-05K 硅APD 短波长型(低结电容) φ0.5 mm 320 to 1000 nm 680 MHz 400 V
  S8664-1010 硅APD 短波长型(低结电容) 10 × 10 mm 320 to 1000 nm 11 MHz 400 V
  S8664-10K 硅APD 短波长型(低结电容) φ1 mm 320 to 1000 nm 530 MHz 400 V
  S8664-20K 硅APD 短波长型(低结电容) φ2 mm 320 to 1000 nm 280 MHz 400 V
  S8664-30K 硅APD 短波长型(低结电容) φ3 mm 320 to 1000 nm 140 MHz 400 V
  S8664-50K 硅APD 短波长型(低结电容) φ5 mm 320 to 1000 nm 60 MHz 400 V
  S8664-55 硅APD 短波长型(低结电容) 5 × 5 mm 320 to 1000 nm 40 MHz 400 V
  S8890-02 硅APD 近红外型 φ0.2 mm 400 to 1100 nm 280 MHz 500 V
  S8890-05 硅APD 近红外型 φ0.5 mm 400 to 1100 nm 240 MHz 500 V
  S8890-10 硅APD 近红外型 φ1 mm 400 to 1100 nm 230 MHz 500 V
  S8890-15 硅APD 近红外型 φ1.5 mm 400 to 1100 nm 220 MHz 500 V
  S8890-30 硅APD 近红外型 φ3 mm 400 to 1100 nm 220 MHz 500 V
  S9075 硅APD 短波长型(低偏置) φ1.5 mm 200 to 1000 nm 100 MHz 150 V
  S9251-10 硅APD 近红外型(800nm波段,低结电容) φ1 mm 440 to 1100 nm 380 MHz 250 V
  S9251-15 硅APD 近红外型(800nm波段,低结电容) φ1.5 mm 440 to 1100 nm 350 MHz 250 V
  S10341-02 硅APD 表面贴装 φ0.2 mm 400 to 1000 nm 1000 MHz 150 V
  S10341-05 硅APD 表面贴装 φ0.5 mm 400 to 1000 nm 900 MHz 150 V
  S11519-10 红外增强型硅APD 近红外型(高灵敏度 1000nm波段 低偏置电压) φ1 mm 600 to 1150 nm 400 MHz 350 V
  S11519-30 红外增强型硅APD 近红外型(高灵敏度 1000nm波段 低偏置电压) φ3 mm 600 to 1150 nm 230 MHz 350 V
  S12023-02 硅APD 近红外型(低偏置) φ0.2 mm 400 to 1000 nm 1000 MHz 150 V
  S12023-05 硅APD 近红外型(低偏置) φ0.5 mm 400 to 1000 nm 900 MHz 150 V
  S12023-10 硅APD 近红外型(低偏置) φ1 mm 400 to 1000 nm 600 MHz 150 V
  S12023-10A 硅APD 近红外型(低偏置) φ1 mm 400 to 1000 nm 600 MHz 150 V
  S12051 硅APD 近红外型(低偏置) φ0.5 mm 400 to 1000 nm 900 MHz 150 V
  S12053-02 硅APD 短波型(低偏置电压) φ0.2 mm 200 to 1000 nm 900 MHz 150 V
  S12053-05 硅APD 短波型(低偏置电压) φ0.5 mm 200 to 1000 nm 400 MHz 150 V
  S12053-10 硅APD 短波型(低偏置电压) φ1 mm 200 to 1000 nm 250 MHz 150 V
  S12060-02 硅APD 近红外型(低温度系数) φ0.2 mm 400 to 1000 nm 1000 MHz 200 V
  S12060-05 硅APD 近红外型(低温度系数) φ0.5 mm 400 to 1000 nm 900 MHz 200 V
  S12060-10 硅APD 近红外型(低温度系数) φ1 mm 400 to 1000 nm 600 MHz 200 V
  S12086 硅APD 近红外型(低偏置) φ0.5 mm 400 to 1000 nm 900 MHz 150 V
  S12092-02 硅APD 近红外型(900nm波段,低终端电容) φ0.2 mm 440 to 1100 nm 400 MHz 250 V
  S12092-05 硅APD 近红外型(900nm波段,低终端电容) φ0.5 mm 440 to 1100 nm 400 MHz 250 V
铟镓砷APD (2)
铟镓砷APD是内部具有增益机制的高速、高灵敏度光电二极管,可用于甚低光量测量。它们主要应用于光纤通信、距离测量以及空间光传输等。
按感光面积筛选 

 全部不限

产品图像 产品型号 产品名称 感光面积
  G8931-04 铟镓砷APD φ0.04 mm
  G8931-20 铟镓砷APD φ0.2 mm
硅APD阵列 (1)
该APD是一款4 × 8象元的APD阵列,具有低噪声和短波灵敏度增强的特性。
产品图像 产品型号 产品名称 感光面积 光谱响应范围(最小值)
  S8550-02 硅APD阵列 1.6 × 1.6 mm 320 to 1000 nm

 

 

Opto-semiconductor handbook


日本滨松Hamamatsu紫外光敏管产品目录资料下载Flame Sensors (UV TRON)

 


 

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