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内置放大APD雪崩二极管

内置放大APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装
AD230-8-2G-MINI	Ø0.23	50@800nm	0.3	0.18	1.2	80-160	0.45	TO
AD230-2.3G-TO5	Ø0.23	50@800nm	0.3	0.18	1.2	80-200	0.45	TO5
AD500-1.3G-TO5	Ø0.5	50@800nm	0.5	0.35	2.2	80-200	0.45	TO5
AD500-8-1.3G-MINI	Ø0.5	50@800nm	0.5	0.35	2.2	80-160	0.45	TO5
AD230-9-400M-TO5	Ø0.23	60@905nm	0.5	0.50	0.8	160-240	1.55	TO5
AD500-9-400M-TO5	Ø0.5	60@905nm	0.5	0.55	1.2	160-240	1.55	TO5

InGaAs雪崩光电二极管

型号	光敏面积(-)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	噪声等效功率(pW/sqrt Hz)	上升时间(ns)	带宽(GHz)	击穿电压(V)	温度(V/°C)	封装(-)
IAG 080X	Ø80	10@1550nm	1	0.1	0.14	2.5@M=10	65	0.06	S5,S6,S7,T6,T8,Y1
IAG 200X	Ø200	10@1550nm	8	0.032	0.23	1.5@M=10	63	0.075	S5,S6,S7,T6,T8,Y1
IAG 350X	Ø350	10@1550nm	190	0.12	0.58	0.6@M=10	55	0.078	S5,S6,S7,T6,T8,Y1

APD四象限探测器

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装(-)
QA4000-9-TO8Si	Ø4000	58@905nm	4	2@905,VOP,5Ω	7	160-240	1.45	TO8Si
QA4000-10-TO8Si	Ø4000	36@1060nm	7	5@905,VOP,5Ω	4	220-600	3.3	TO8Si

线阵、面阵APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	NEP(W/√Hz)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装(-)
AA8-9SOJ22GL	10004058	60@905nm	5	2E-14	2	2	100-300	1.55	SOJ22GL
AA16-0.13-20SOJ22GL	64820816	60@905nm	5	2E-14	2	1.5	100-300	1.55	SOJ22GL
AA16-9DIL18	64820816	60@905nm	5	2E-14	2	2	100-300	1.55	DLIL18
AA16D-20SOJ22GL	100040516	60@905nm	5	2E-14	2	2	100-300	1.55	SOJ22GL
25AA0.04-9	205205(5*5)	60@905nm	0.3		2	1	200	1.45	BGA
25AA0.16-9	405405(5*5)	60@905nm	1.2		4	4	200	1.45	BGA
64AA0.04-9	205205(8*8)	60@905nm	0.3		2	1	200	1.45	BGA

蓝光增强APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	NEP(W/√Hz)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装(-)
AD800-11-TO52S1	Ø800	25@400,M=100	1@M=100	1E-14@M=100	1@410nm,50Ω	2.5@1000kHz,M=100	100-200	0.88	TO52S1
AD1900-11-TO5i	Ø1900	25@400,M=100	5@M=100	2.5E-14@M=100	2@410nm,50Ω	10@1000kHz,M=100	100-200	0.88	TO5i

红光增强APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装(-)
SAE230VX	230	650	10	450	4@M=100	230	0.2	L3,M8,S2,S3,T6,Y1,Y2
SAE500VX	500	650	10	450	4@M=100	230	0.2	L3,M8,S2,S3,T6,Y1,Y2

高速高增益雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	NEP(W/√Hz)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装
AD230-8-LCC6.1	Ø0.23	50@800nm	0.25...0.5	1E-14	0.18	1.2	80-200	0.45	LCC6.1
AD230-8-LCC6.1f	Ø0.23	32@800nm	0.25...0.5	1E-14	0.18	1.2	80-200	0.45	LCC6.1f
AD230-8-TO52S3	Ø0.23	50@800nm	0.3	1E-14	0.18	1.2	80-200	0.45	TO52S3
AD500-8-TO52S2	Ø0.5	50@800nm	0.5-1	2E-14	0.35	2.2	120-190	0.45	TO52S2
AD100-8-TO52S1	Ø0.1	50@800nm	0.05	3E-15		0.8	120-190	0.45	TO52S1
AD230-8-TO52S1	Ø0.23	50@800nm	0.3	1E-14	0.18	1.2	80-200	0.45	TO52S1
AD500-8-LCC6.1	Ø0.5	50@800nm	0.25...0.5	2E-14	0.35	2.2	80-200	0.45	LCC6.1
AD500-8-LCC6.1f	Ø0.5	32@800nm	0.25...0.5	2E-14	0.35	2.2	80-200	0.45	LCC6.1f
AD500-8-TO52S1	Ø0.5	50@800nm	0.5-1	2E-14	0.35	2.2	80-200	0.45	TO52S1
AD500-8-TO52S3	Ø0.5	50@800nm	0.5-1	2E-14	0.35	2.2	80-200	0.45	TO52S3
AD800-8-TO5i	Ø0.8	50@800nm	2	4E-14	0.7	5	120-190	0.45	TO5i
AD1100-8-TO5i	Ø1.13	0.5@800nm	4-6	8E-14	1	8	120-190	0.45	TO5i
AD1900-8-TO5i	Ø1.95	0.5@800nm	15	1.5E-13	1.4	20	120-190	0.45	TO5i
AD2500-8-TO5i	Ø2.52	50@800nm	20	3E-13	1.5	28	120-190	0.45	TO5i
AD3000-8-TO5i	Ø3	50@800nm	30	9E-13	2	45	120-190	0.45	TO5i
AD5000-8-TO8i	Ø5	50@800nm	60	9E-13	3	120	120-190	0.45	TO8i

近红外增强APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	NEP(W/√Hz)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装
AD500-9-TO52S1	Ø500	60@905nm	0.5-1	2E-14	0.55	1.2	160-240	1.55	TO52S1
AD500-9-TO52S3	Ø500	60@905nm	0.5-1	2E-14	0.55	1.2	160-240	1.55	TO52S3
AD003B-9-TO5i	1100×300	60@905nm	2	3E-14	1	2	Min 120	1.55	TO5i
AD100-9-TO52S1	Ø100	50@905nm	0.1	6E-15	0.5	0.6	180-240	1.55	TO52S1
AD230-9-TO52S1	Ø230	60@905nm	0.6	1E-14	0.5	0.8	160-240	1.55	TO52S1
AD230-9-TO52S3	Ø230	60@905nm	0.6	1E-14	0.5	0.8	160-240	1.55	TO52S3
AD500-9TO52S1F2	Ø500	52@905nm	0.5-1	2E-14	0.55	1.2	120-300	1.55	TO52S1F2
AD500-9-TO52S2	Ø500	60@905nm	0.5-1	2E-14	0.55	1.2	180-240	1.55	TO52S2
AD800-9-TO5i	Ø800	60@905nm	2	4E-14	1.3	2	180-240	1.55	TO5i
AD1100-9-TO5i	Ø1130	60@905nm	4-6	8E-14	1.3	3	180-240	1.55	TO5i
AD1900-9-TO5i	Ø1950	60@905nm	15	1.5E-13	1.4	8	180-240	1.55	TO5i
AD2500-9-TO5i	Ø2520	60@905nm	20	3E-13	1.5	12	180-240	1.55	TO5i
AD3000-9-TO5i	Ø3000	60@905nm	30	4.5E-13	2	18	180-240	1.55	TO5i
AD5000-9-TO8i	Ø5000	60@905nm	60	9E-13	3	45	180-240	1.55	TO8i

1064nm YAG 增强APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W)	暗电流(nA)	上升时间(ns)	结电容(pF)	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装(-)
AD500-10-TO5i	Ø500	40@1060nm	5	5@1060,VOP,5Ω	0.8	320-500	3.5	TO5i
AD1500-10-TO5i	Ø1500	45@1060nm	10	8@1060,VOP,5Ω	1.9	300-500	3.5	TO5i
800-10 TO8Si	Ø800	36@1064nm	3	5@1064nm,VOP,50Ω	1	220-600	3.3	TO8Si

reach-through 结构APD雪崩二极管

型号	光敏面直径(µm)	峰值响应(A/W) @905,M=100	暗电流(nA) @M=100	NEP(W/√Hz)	上升时间(ns) @M=100	结电容(pF) @M=100	击穿电压(V)	温漂(V/K)	封装(-)
SAR500S2	Ø500	60	1.5		0.45	1.5	170-350	1	F2,F3,L3,LP20/40,S2,S3,T6,T8
SAR1500x	Ø1500	60	0.75		0.5	4	200-300	2	E1,G1,T6
SAR3000x	Ø3000	60	1		0.5	7	200-300	2	E1,G1,T6
SARP500X	Ø500	60	0.5		0.45	1.5	170-350	1	F2,F3,L3,LP20/40,S2,S3,T6,T8

公司代理日本进口滨松APD雪崩二极管，常用型号有S10341-02,S9717-02K,S9717-05K,S2381,S2382,S2383等用于低成本激光测距

APD雪崩管 C30659

每个模块包括一个光电探测器(快速光电二极管或雪崩光电二极管)和一个互阻抗放大
器。同一封装中兼备放大器和光探测器，使其环境噪声更低，寄生电容更小。
C30659 系列模块包括一个连接到低噪声互阻抗放大器的APD。有４种型号使用硅晶体
雪崩光电二极管和2 种型号铟镓砷雪崩光电二极管可选择。50 兆赫和200 兆赫的标准
频带宽度可以适应大范围应用。另有两种C30659 型号的雪崩光电二极管配置热电制冷
(LLAM 系列)，帮助改善噪音或保持雪崩光电二极管在任何环境温度下恒温工作。
C30659 型号可以根据特殊应用需要，选择一种定制频带宽度或适合特殊环境要求的定
制产品。另有一种带尾纤封装14 插脚双列直插式插件，可以达到几乎100 %耦合效率。
C30950EH是可以替代C30659 的低成本型产品。放大器用来抵消电压增益放大器的输入
电容。C30919E 与C30950EH 使用相同设计结构，多了一个高压温度补偿电路以保持
模块在宽温度范围内的响应性常数。另两种HUV 模块可用于低频高增益应用，它涵盖
了从紫外线到接近红外线的广谱范围。
应用
• 激光测距仪
• 共焦显微镜检查
• 视频扫描成像仪
• 高速分析仪器
• 自由空间通信
• 紫外线传感
• 分布式温度传感器
特点和优点
• 超低噪声
• 高速
• 高互阻抗增益

常用型号

C30659-900-R5BH， C30659-900-R8AH， C30659-1060-R8BH，C30659-1060-3AH
C30659-1550-R08BH，C30659-1550-R2AH C30919E C30950EH

LLAM-1550-R2A LLAM-1060-R8BH
HUV-1100BGH HUV-2000BH

　

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