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红外传感器/光电传感器旋转编码器/轴角传感器/角度距离传感器/激光测距传感器图像传感器/摄像头/摄像模块
色标传感器/颜色传感器激光传感器/镭射模阻硅光电池/光敏电池/太阳能板光纤传感器/光栅传感器光幕传感器

红外测温仪/红外热像仪光敏电阻/光敏元器件

 

光电子元器件和组件:红外发射管、红外接收管、光电开关、光敏管、发光二极管和发光二极管组件、半导体激光二极管和激光器组件、光电探测器和光接收组件、光发射接收模块、光纤激光器和光放大器、光调制器、光开关、DWDM用光发射和接收器件、用户接入系统光光收发器件与模块、光纤连接器、光纤跳线/尾纤、光衰减器、光纤适配器、光隔离器、光耦合器、光环行器、光复用器/转换器;大功率红外线发射管、光电开关(工业级)、环境亮度光传感器、颜色传感器、PSD位置传感器、紫蓝/红外硅光电池、红外线接收头、红外光电接收二极管、红外光敏接收三极管、对射式光电传感器、反射式光电传感器、红外线发射管、红外光电IC、人体热释能传感器、红外数据传输器、光电耦合器、UV紫外发光二极管、直插/贴片式发光二极管、 大功率发光二极管、光纤传感器 、CATV光传输产品 、光纤通信产品 、光电激光类产品

     
 

光电器件传感器
紫外线传感器
颜色传感器                亮度传感器
热释电红外传感器
光敏电阻
                  光敏传感器
VTL5C系列模拟光隔离器
光电晶体管
CPM端窗式光电倍增管以及模块
单光子计数模块
NDIR红外气体传感器
红外温度传感器
红外光源
CCD图像传感器;线阵CCD相机
激光器件;大功率红外发射管
高速PN、PIN、APD等光电探测器
X射线探测器

 
用于火焰检测的紫外线传感器
  三频红外火焰探测器
用于光强检测的紫外线传感器
EPL晶圆
UV裸片
UV-A传感器
UV-B传感器
UV-C传感器
SYP-UVT46A/SYP-UVT46B
UV模块
型号编码系统
选择指南
封装尺寸
UV传感器应用
UV指数监察
光源监察
火焰监察
UV吸收光譜
UV物质微调
 UV辐射
UV指数
应用电路
 
 
红外光电系列
        红外发射管
        红外接收管
        红外接收头
        光敏三极管
        光电传感IC
        硅光电池管
        太阳能电池
        镭射激光管
        发光二极管
传感器件系列
        凹槽型开关
        反射式开关
        红外数据头
        霍尔传感器
        光纤传感器
        人体传感器
        声波传感器
        气体传感器
        温湿传感器
        颜色传感器
        压力传感器
        菲涅尔透镜
        接近传感器
        微波感应器
高频元件系列
        双栅场效应管
        高频微波管
集成IC系列
        红外数据IC
        红外遥控IC
        蓝牙通讯IC
        图像传感器
光鼠球鼠对管IC
摄像数字影像IC
手机周设/手机IC
光电藕合器IC
光管/激光IC
光电开关
反射接近开关
红外接收管
红外发射管
红外接收头
光敏接收管
发光管/数码管
光纤接收/发射头
闪光管
放电管
硅光电池
紫外线传感器
热释传感器/菲透镜 
超声波传感
霍尔元件干簧管/磁传感器 
数据传输器
热电堆/红外测温计
光敏电阻
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
   
产品名称: 高速PN、PIN、APD光电探测器
产品规格: PN、PIN 、 APD、PbS、PbSe、HgCdTe
产品介绍:         SSTKJ公司提供新一代高性能紫外、可见光、红外光电探测器和组件,服务于商用,军事/航空,医疗,和消费类市场。产品分类:


一、InGaAsAPD/PIN光电探测器

1、InGaAsAPD光电探测器:(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信,数据传输,人眼安全激光测距机等。
型号:C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN(小面积)光电探测器:(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信,数据传输,仪表等。
型号:C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN(大面积)光电探测器:(900nm-1700nm)高质量窗口以及光纤封装。典型应用于光功率表,人眼安全激光通信,仪表等。
型号:C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN(大面积)扩展波长光电探测器:(1um-2.5um)高质量陶瓷封装,提供不带制冷器、一级制冷器和二级制冷器三种封装的产品。典型应用于非破坏性检查,水汽测量,生物化学应用,环境监控等,需要相关资料,请咨询。

二、SiliconAPD光电探测器

1、SiliconAPD标准雪崩管:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于荧光探测,小信号快速探测,LIDAR,光子计数,数据传输,仪表,自适应光学,共焦微透镜等。
型号:C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光电探测器阵列:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR,分光镜,粒子探测,自适应光学,跟踪系统等。
型号:四象限阵列C30927E、线性阵列C30985E

3、SiliconAPD低价格光电探测器:(400nm-1100nm)大量,低价格探测器。典型应用于激光测距,防碰撞系统等。
型号:低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD热电致能型光电探测器:(400nm-1100nm)带一级或者两级热电致冷器,冷却APD,减少小信号探测时的热噪声,内部集成的热电阻用来温度监控以及致冷器控制。典型应用于小信号荧光探测,光子计数,快速或者微弱信号探测,自适应光学等。型号:C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近红外增强型(1.064um)光电探测器:密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR,红外激光测距,荧光探测,快速或者小信号探测。
型号:C30954E,C30955E,C30956E

6、SiliconAPD光纤耦合型光电探测器:光纤耦合封装。典型应用于光纤数据传输,远程光传感器,小信号探测等。
型号:C30921

7、SiliconAPD辐射探测器:大光敏面积,平板封装。典型应用于直接探测光,x-Rays,电子的辐射。
型号:C30626,C30703


三、SiliconPIN光电探测器

1、SiliconPIN窗口以及光纤封装光电探测器:(400nm-1100nm)高速,P型设计。典型应用于快速激光脉冲探测,光纤通讯,仪表等。
型号:C30971

2、SiliconPIN大面积光电探测器:(400nm-1100nm)高质量,高速度,N型设计,密封陶瓷封装。典型应用于激光探测系统,快速脉冲探测,仪表等。
型号:FFD-100、FFD-200

3、SiliconPIN四象限光电探测器:(220nm-1100nm)N型设计,密封陶瓷封装。典型应用于光斑位置跟踪,测量脉冲激光或者连续激光x-轴和y-轴的方向。
型号:C30845E、UV-140BQ-4、YAG-444-4A

4、SiliconPIN标准N型光电探测器:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于激光探测系统,光度计,数据传输,仪表等。
型号:C30807E、C30808E、C30822E、C30809E、C30810E

5、SiliconPIN紫外增强型光电探测器:(220nm-1100nm)低噪声,标准N型设计,密封陶瓷封装。典型应用于紫外光表,可见光表,光度计,荧光探测,分光镜,微光探测传感器,仪表等。
型号:UV-040BQ、UV-100BQ、UV-215BQ、UV-140BQ

6、Silicon/Silicon双色光电探测器:(400nm-1100nm),DTC系列包括两个探测器,密封陶瓷封装。典型应用于双波长功率表,双色温度测量等。
型号:DTC140

7、SiliconPIN表面贴装光电探测器:CFD10、CR10DE、CR50DE、SR10BP、SR10BP-B6、SiliconPIN低带宽(1kHz-50kHz)光电探测模块:(220nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于紫外信号探测,光度计等。
型号:HUV-2000B、HUV-1100BG

8、窄光谱响应光电探测器SR10SPD系列,不需要额外的滤波器,表面贴装。
型号:SR10SPD 470-0.9 ( 470nm中心波长)、SR10SPD 525-0.9 ( 525nm中心波长)、SR10SPD 880-0.9 ( 880nm中心波长)

9、SiliconPIN/APD高带宽(40MHz-100MHz)光电探测模块:(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于激光信号探测,仪表等。
型号:C30608E、C30950E、C30919E

10、Silicon/InGaAs APD高带宽(50MHz-200MHz)光电探测模块:(400nm-1700nm)密封陶瓷封装。典型应用于激光信号探测,仪表等。
型号:C30659-900-R5B、C30659-900-R8A、C30659-1060-R8B、C30659-1060-3A、C30659-1550-R08B、C30659-1550-R2(C30659E-CD2982)


四、SiliconPN硅光电池:

  VTB系列紫外增强硅光电池(190nm-1100nm),增强光谱从UV(190nm)-NearIR(900nm),高阻抗,低噪声,低暗电流,适合光电型、弱信号探测应用。有效探测面积从1.6mm²— 37.7mm²。封装型式包括TO-46、TO-18、TO-5、TO-8封装,石英和紫外窗口陶瓷封装。典型应用:紫外、可见、红外分光光度计、生化分析仪、验钞机、紫外曝光表、紫外水质净化、荧光探测,以及其它分光镜应用。

        VTP系列VTS系列硅光电池探测器,低价格,极好的光电流线性,快速响应时间,探测可见光以及近红外光源,例如LED,氖灯,荧光灯,NIR激光管,火焰,阳光以及其它光源。典型应用:NIR传感器,医疗红外传感器,红外安全设备,工业用红外传感器,红外接近传感器,红外激光探测器。

        VTA系列硅光电池探测器阵列,64单元。


五、波长传感器(450-900nm),可准确检测确定单色激光或者LEDS光源的单色光的波长,与其他同类产品不同的是,其输出不受所测光线强度的影响,光谱分辨率:0.01nm。


六、红外光电探测器(探测器类型Silicon-Germanium-InGaAs-exInGaAs-InAs-InSb-PbS-PbSe-HgCdTe),能够灵敏探测在0.2-40+microns波长范围内的红外光,以其在长波长方面的高灵敏度和快速探测,具有独特的优势。这些探测器工作在室温或者TE-Cooled情况下,各种TO类型封装。典型应用:脉冲、调制和连续CO2激光辐射探测和监控,外差式检波探测,2to12µm低频和高频调制辐射探测,激光测量,激光预警接收器,激光雷达、激光测距和激光通讯,追踪、定位系统,行扫描仪,快速多色高温计,红外分光光度计,热成像扫描仪,遥感,气体分析,火焰探测器,人体探测等。

  如果需要硅(Si)、锗(Ge)、铟稼砷(InGaAs)、硫化铅(PbS)、硒化铅(PbSe)、锑镉汞(HgCdTe)等探测器的相关资料,请随时联系!

APD - C30659 Series – 900/1060/1550/1550E Si and InGaAs APD Preamplifier Modules
APD - C30659, C30950EH, 30919E Si PIN APD Receiver Modules Analytical Industrial Applications
APD - C30659, C30950EH, 30919E Si PIN APD Receiver Modules Analytical Industrial Applications
APD - C30659, C30950EH, 30919E Si PIN APD Receiver Modules Analytical Industrial Applications
APD - C30724 for Range Finding Applications
APD - C30737 and C30724 for Range Finding Applications
APD - C30737 and C30724 High Speed, Low Voltage Si
APD - C30737 High Speed, Low Voltage APD; C30724 Low Temperature Coefficient APD
APD - C30737 High Speed, Low Voltage APD; C30724 Low Temperature Coefficient APD
APD - C30737CH Series in side-looking LLC Package for laser meter, range-finding, and area scanning applications
APD - C30737PH and C70737LH for Range Finding and Laser Meters
APD - C30737PH and C70737LH for Range Finding and Laser Meters
APD - C30739ECERH Large Area Silicon Avalance Photodiodes - Short Wavelength Enhanced
APD - C30739ECERH UV-enhanced, for High Energy Radiation Detection Applications and Molecular Imaging
APD - C30739ECERH UV-enhanced, for High Energy Radiation Detection Applications and Molecular Imaging
APD - C30739ECERH UV-enhanced, for High Energy Radiation Detection Applications and Molecular Imaging
APD - C30902 Series High-speed Si APDs for Analytical and Biomedical Lowest-Light Detection Applications
APD - C30902 Silicon InGaAs APDs
APD - C30927 and C30985E for High-Performance Applications
APD - C30927 Series Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - C30954EH, C30955EH, C30956EH Series Long Wavelength Enhanced Silicon APDs
APD - C30985E 25-Element Linear Array
APD - C30985E Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - C30985E Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - C30985E Si APD Arrays for Analytical Applications
APD - LLAM Series High-speed, low-light Analog Receiver Modules
 
PMT光电倍增管及模块

英国ET Enterprises公司——光电倍增管专业生产商
英国ET Enterprises公司由著名的EMI公司光电倍增管事业部组建而成,是世界上最早研制、生产光电倍增管的厂家,已经拥有70多年的历史。针对各种光信号检测,尤其是微弱光信号,ET公司为您提供高性能、低噪声、高稳定性的光电倍增管产品。

光电倍增管(PMT)

Ø 蓝绿光灵敏型PMT

采用蓝光灵敏的双碱阴极,侧窗式或端窗式,各种尺寸可选

Ø 绿光灵敏型PMT

采用绿光灵敏的双碱阴极,各种尺寸可选

Ø 红光/红外光灵敏型PMT

采用红光/红外光灵敏的多碱阴极,建议与制冷室配合使用

Ø 日盲管PMT

采用只对紫外/真空紫外灵敏的阴极材料,最短波长可到110nm

Ø 耐高温型PMT

采用耐高温的双碱阴极,最高可到200度,金属陶瓷封装或玻璃封装。针对石油勘探、航空航天应用,提供耐高温、抗强冲击震动的产品

Ø 耐冲击振动型PMT


光电倍增管附件

PMT制冷室

 管套

磁屏蔽 

 管座及分压器

放大器/鉴别器 

门控装置 

英国Sens-Tech公司——PMT模块
英国Sens-Tech公司的前身是著名的EMI公司,是X射线探测器、信号数据采集系统和光电倍增管模块产品的专业供应商,在光电探测领域拥有丰富的成功经验。Sens-Tech的产品集信号探测、模拟信号放大、数字输出于一体,有多种控制功能可供选择,可方便地与计算机连接,实现图像或信号的数字化处理

■ 光电倍增管模块系列

Sens-Tech为您提供模块化的光电倍增管产品,即插即用、经济实惠,既缩短了开发周期,又降低了生产成本。光电倍增管模块可集成光电倍增管、管座、分压器、放大器、放大/鉴别器、计数器、门控电路等,提供的产品组合超过200多种。 

 

■ HVSys----多通道高压电源控制系统

 主要特点

  1. 省去了众多昂贵的高压连接线和接插件
  2. 单个PCI卡可以控制254个独立的管座电源             
  3. 增加RS485卡可对系统做进一步扩展
  4. 可编程设定及监视系统各项参数
  5. 消除了电子抖动的影响
  6. 图形界面显示各项参数
  7. 易于维护
 

 

 

■ 光子计数模式
工作于光子计数模式,可输出TTL信号,或通过

RS232直接与计算机连接

  1. 光子计数模式下计数率可达100MHz
  2. X射线检测计数率可达10MHz
  3. 带制冷的模块可显著降低暗计数值                  
 

 

 
■ 模拟信号探测模式
  1. 输出模拟电流或电压信号
  2. 快速检测细菌活性
  3. 检测SOx和NOx含量                                          
  4. 过程控制
 

 

■ 高压电源

 

 

          

                

 

 管座型高压电源

模块型高压电源 

台式高压电源 

 

 

 

 
主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选,主要用于雪崩光电二极管单光子探测器,激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧
   
    光检测、微弱光检测及高端医疗设备等,典型型号有AD230-8 TO52S1、AD230-8 TO52S3、AD230-9 TO52S1、AD230-8 TO52S3、AD500-8 TO52S1、AD500-9 TO52S3、AD500-8 TO52S3、AD500-9 TO52S1等  

APD雪崩二极管选型资料

一、系列8(高速高增益雪崩二极管)

 

型号 

受光面积 

响应波长 

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD230-8

TO52S1

0.23

0.042

800

400-1100

1

AD230-8

TO52S3

0.23

0.042

800

400-1100

2

AD500-8

TO52S1

0.5

0.196

800

400-1100

3

AD500-8

TO52S3

0.5

0.196

800

400-1100

4

AD800-8

TO5i

0.8

0.5

800

400-1100

5

AD1100-8

TO5i

1.13

1

800

400-1100

6

AD1900-8

TO5i

1.95

3

800

400-1100

7

AD2500-8

TO5i

2.52

5

800

400-1100

8

AD100-8

TO52S1

0.1

0.00785

800

400-1100

9

 

 

 

  

  

  

  

二、系列9(近红外增强雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD230-9

TO52S1

0.23

0.042

880

400-1100

1

AD230-9

TO52S3

0.23

0.042

880

400-1100

2

AD500-9

TO52S1

0.5

0.196

880

400-1100

3

AD500-9

TO52S3

0.5

0.196

880

400-1100

4

AD800-9

TO5i

0.8

0.5

880

400-1100

5

AD1100-9

TO5i

1.13

1

880

400-1100

6

AD1900-9

TO5i

1.95

3

880

400-1100

7

AD2500-9

TO5i

2.52

5

880

400-1100

8

AD3000-9

TO5i

3.0

7.0

880

400-1100

9

AD5000-9

TO5i

5.0

20.0

880

400-1100

10

三、系列10(YAG增强雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD500-10

TO5i

0.5

0.196

 

 

1

AD1500-10

TO5i

1.5

1.77

 

 

2

 

四、系列11(蓝光增强雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD800-11

TO52S1

Φ0.5

0.196

 

 

1

AD1900-11

TO5i

Φ1.5

1.77

 

 

2

五、InGaAs APD雪崩二极管

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
(um)

面积
(mm2)

波峰
(nm)

响应波段
(nm)

IAE080X

 

Φ80

 

 1550

1000-1650 

1

IAE200X

 

Φ200

 

 1550

1000-1650 

2

APD雪崩二极管选型资料

一、系列8(高速高增益雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD230-8

TO52S1

0.23

0.042

800

400-1100

1

AD230-8

TO52S3

0.23

0.042

800

400-1100

2

AD500-8

TO52S1

0.5

0.196

800

400-1100

3

AD500-8

TO52S3

0.5

0.196

800

400-1100

4

AD800-8

TO5i

0.8

0.5

800

400-1100

5

AD1100-8

TO5i

1.13

1

800

400-1100

6

AD1900-8

TO5i

1.95

3

800

400-1100

7

AD2500-8

TO5i

2.52

5

800

400-1100

8

AD100-8

TO52S1

0.1

0.00785

800

400-1100

9

 

 

 

 

 

 

 

二、系列9(近红外增强雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD230-9

TO52S1

0.23

0.042

880

400-1100

1

AD230-9

TO52S3

0.23

0.042

880

400-1100

2

AD500-9

TO52S1

0.5

0.196

880

400-1100

3

AD500-9

TO52S3

0.5

0.196

880

400-1100

4

AD800-9

TO5i

0.8

0.5

880

400-1100

5

AD1100-9

TO5i

1.13

1

880

400-1100

6

AD1900-9

TO5i

1.95

3

880

400-1100

7

AD2500-9

TO5i

2.52

5

880

400-1100

8

AD3000-9

TO5i

3.0

7.0

880

400-1100

9

AD5000-9

TO5i

5.0

20.0

880

400-1100

10

三、系列10(YAG增强雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD500-10

TO5i

0.5

0.196

 

 

1

AD1500-10

TO5i

1.5

1.77

 

 

2

 

 四、系列11(蓝光增强雪崩二极管)

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
mm

面积
mm2

波峰
nm

响应波段nm

AD800-11

TO52S1

Φ0.5

0.196

 

 

1

AD1900-11

TO5i

Φ1.5

1.77

 

 

2

 

五、InGaAs APD雪崩二极管

型号

受光面积

响应波长

实物

芯片

封装

尺寸
(um)

面积
(mm2)

波峰
(nm)

响应波段
(nm)

IAE080X

 

Φ80

 

 1550

1000-1650 

1

IAE200X

 

Φ200

 

 1550

1000-1650 

2

 

 

 

 

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