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霍尔元件/霍尔IC/霍尔传感器旋转编码器/轴角传感器/角度磁场传感器/磁敏传感器 编码器角度传感器总汇磁阻传感器

MRS-H-21 　 样品价格 (日元) 1p/lot 　 500p/lot 　 1000p/lot 　 3,500 1,800 1,600 　 　 本传感器由随磁场强度变化而电阻值变化的锑化铟(InSb)磁阻体和提供给磁阻体磁偏压的永久磁铁而构成。磁性体一接近传感检测面、对磁阻体起作用的磁通量密度则会变化，根据电阻值的变化可得到输出信号。 　 特色 磁阻元素使用ＩｎＳｂ单结晶，灵敏度高、ＳＮ比好。 被测体与传感检测面有一些距离也可检知。 输出与磁性体的移动速度无关，因此对静止物也可检知。 传感部是纯电阻因此不易受到诱导噪音的影响。 是一种在被局限的空间内可使用的小型金属壳封装的传感器。 　 最大定格（Ta=25℃） 　 项目 符号 规定值 单位 最大应用电压 Vamax 5.5 V 绝缘电压 VI 100 V 容许损耗 PD 50 mW 运行环境温度 Topg -30 ～ +85 ℃ 保存环境温度 Tstg -30 ～ +85 ℃ 　 绝对最大额定值(Ta=25C) 　 项目 符号 条件 min. Typ. Max. 单位 输出电压 VOUT Va=5V※1 0.3 　 0.9 mVrms 中点对称性 d I=1mA※2 　 　 30 % 内部电阻 R I=1mA 600 － 4500 Ω 内部噪音 VNW Va=5V 　 　 50 μVP-P 压电噪音电压 VNP Va=5V押圧10g 　 　 300 μVP-P 检测面磁通密度 B 　 　 0.075 (S Pole) 　 T 检测宽度 W 　 　 6 　 mm 　 ※1 Input uses the magnetic flux which occurs when it is charged with current of 50Hz, 100mA(rms) in the line of φ 0.1mm.※2 d=|MR1-MR2|/MR1（or MR2）*100 　 内部接线图 　 　 外形尺寸图 　 # 产品外形等变更时不予以通告请原凉

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