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红外/紫外火焰传感器及模块 　 　 　
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红外探测器系列

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紫外发光二极管
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光纤耦合激光二极管 激光二极管配件
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红外发光二极管
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发光二极管驱动 近红外发光二极管
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紫外探测器 　 双波段探测器
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红外光源   红外光电气体传感器  NDIR红外气体传感器  红外温度传感器  红外气体分析器件
CO2红外光源   CH4红外光源   CO红外光源   C3H8红外光源   C4H10红外光源   C2H4红外光源   C2H2红外光源      SF6红外光源   SO2红外光源   HC红外光源  

APD阵列

　


供应APD阵列，包括线性APD阵列和矩阵APD阵列。该系列APD雪崩二极管阵列主要用于：激光雷达、激光测距。我们同时供应APD雪崩二极管和APD雪崩二极管模块。

　
Chip
Package
Description
8AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 8 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm with NTC
16AA0.13-9
DIL18
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
16AA0.4-9
SOJ22GL
APD Array 16 Elements, QE>80% at 760-910nm
25AA0.04-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
25AA0.16-9
BGA
APD Array 25 (5x5) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
64AA0.04-9
BGA
APD Array 64 (8x8) elements, QE>80% at 760-910nm with PTC
QA4000-9
TO8Si
Quadrant Avalanche Photodiode, QE>80% at 760-910nm

位敏探测器(PSD)

　



供应位敏探测器(PSD)，是根据横向光电效应(电压和电流信号随着光斑位置变化而变换的现象)的半导体敏感元件，将照射在光敏面上的光斑强度和位移量转换为电信号，以实现位置探测。

　
Position sensitive diodes (up to 20mm measuring range in two directions)
Type No.
Active area
Rise time
Dimensions
Chip
Package
Size
Area
865nm 10V 50Ω
mm
mm2
ns
OD3.5-6
SO8
3.5×1
3.5
200
single
OD3.5-6
SMD
3.5×1
3.5
200
single
OD6-6
SO16
6×1
6
200
single
OD6-6
SMD
6×1
6
200
single
DL16-7
CERpin
4×4
16
500
dual a×is
DL16-7
CERsmd
4×4
16
500
dual a×is
DL16-7
LCC10G
4×4
16
500
dual a×is
DL100-7
CERpin
10×10
100
4000
dual a×is
DL100-7
CERsmd
10×10
100
4000
dual a×is
DL100-7
LCC10G
10×10
100
4000
dual a×is
DL400-7
CERpin
20×20
400
4000
dual a×is
DL400-7
CERsmd
20×20
400
4000
dual a×is

四象限探测器(QP)

　



供应四象限探测器(QP)，由小间隙隔开的四个有效探测区域组成。四象限探测器应用广泛，包括：激光光束的位置测量、其它需要精确调整的光学系统。

　
Series 6 - Quadrant photodiodes (low dark current)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
10V
850nm 10V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP1-6
TO52
Ø1.13
4×0.25
0.1
20
QP5-6
 in Stock
TO5
Ø2.52
4×1.25
0.2
20
QP5.8-6
TO5
2.4×2.4
4×1.45
0.4
20
QP10-6
 in Stock
TO5
Ø3.57
4×2.5
0.5
20
QP20-6
TO8S
Ø5.05
4×5
1
30
QP50-6
TO8S
Ø7.8
4×12.5
2
40
QP50-6
TO8S flat
Ø7.8
4×12.5
2
40
QP100-6
LCC10G
Ø11.2
4×25
4
40
QP100-6
LCC10S
Ø11.2
4×25
4
40
Series 7 - Quadrant photodiodes (fully depletable)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
10V
905nm 10V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP100-7
LCC10G
10×10
4×25
2
50
Series Q - Quadrant photodiodes (for 1064nm)
Type No.
Active area
Dark current
Rise time
Chip
Package
Size
Area
150V
1064nm 150V 50Ω
mm
mm2
nA
ns
QP22-Q
TO8S
Ø5.3
4×5.7
1.5
12
QP45-Q
TO8S
6.7×6.7
4×10.96
8
12
QP45-Q
LCC10G
6.7×6.7
4×10.96
8
12
QP100-Q
LCC10G
10×10
4×25
6.5
12
QP154-Q
TO1032i
Ø14.0
4×38.5
10
12
QP154-Q
TO1081i
Ø14.0
4×38.5
10
12

铟镓砷探测器(InGaAs)

　



供应铟镓砷探测器(InGaAs)，有效探测直径可达3mm，具有低暗电流和高灵敏度的特点，封装形式包括：TO针脚形式和SMD贴片形式。其中，可见光增强模块可选。

　
InGaAs detectors (high sensitivity up to 2600nm)
Type No.
Active area
Dark current
Spectral responsivity
Waveband
Chip
Package
Size
Area
5V
650nm
1550nm
-
mm
mm2
nA
A/W
A/W
nm
PC0.7-i
LCC6.1
1.0
0.7
2
0.05
0.95
900-1700
PC0.7-i
TO52S1
1.0
0.7
2
0.05
0.95
900-1700
PC0.7-ix
LCC6.1
1.0
0.7
2
0.3
0.95
600-1700
PC0.7-ix
TO52S1
1.0
0.7
2
0.3
0.95
600-1700
PC2.6-i
TO5i
2.0
2.6
10
0.05
0.95
900-1700
PC7.1-i
TO5i
3.0
7.1
25
0.05
0.95
900-1700
InGaAs-2.6
TO18
1.0
0.7
N.A
1.1A/W@2200nm
1200-2600

波长敏感探测器(WS)

　



供应波长敏感探测器(WS)，利用特定波长在硅基材料的辐射吸收深度来实现。硅晶体两个相互垂直的p-n结的结构特征，特别适合于单色光的波长检测。

　
Wavelength sensitive diodes (particularly suitable for monochromatic light)
Type No.
Dark current
Rise time Diode 1
Rise time Diode 2
Chip
Package
5V
0V 1kΩ
0V 1kΩ
nA
ns
ns
WS7.56(Discontinued)
PCBA
10
10000
1000
WS7.56
TO5
10
10000
1000
WS7.56
TO5i
5
10000
1000

辐射探测器(RD)

　



供应辐射探测器(RD)，用于检测原子颗粒。辐射探测器具有高的吸收容量、极低的暗电流、完全耗尽等特点。

　
Detectors for ionizing radiation (silicon radiation detectors)
Type No.
Active area
Dark current
Gamma-energy Eγ
Chip
Package
Size
Area
-
-
mm
mm2
nA
KeV
X0.5-γ
TO8S
Ø 0.8
0.5
0.005
> 1
X1.8-γ
TO8S
Ø 1.5
1.8
0.01
> 1
X5-γ
TO8S
Ø 2.52
5
0.01
> 1
X10-γ
TO8S
Ø 3.75
10
0.02
> 1
X10-γ
TO8S Sc
Ø 3.75
10
0.02
> 2
X10-6
TO39
Ø 3.57
10
0.5
> 5
X100-7
LCC10
10 x 10
100
5
> 5
X100-7-7.2
CerPin
10 x 10
100
5
> 5

光电管接收模块

　


供应光电管接收模块(图片左端，右端为其选配电源)，光电二极管、前置放大电路组成，标准配置和TEC制冷可选。该系列探测器模块对电路进行优化，将电磁干扰降到最小；内置前置放大电路可以用示波器或数据采集卡直接读取对应的电压值。TEC制冷模块可选，提高系统的信噪比。根据应用情况，光电二极管可选，包括：UV Si，Vis Si，NIR InGaAs，Extended InGaAs，PbS，PbSe。
　

根据探测器种类、有效探测面积、是否包含TEC制冷，如下型号可供选择：
　
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 2.5mm
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 5.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 5.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, Si (200-1000nm), 10.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 1.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 2.5mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 5.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 5.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 10.0mm
Photodiode Receiver Module, Si (300-1000nm), 11.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs (800-1600nm), 3.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs(800-1700nm), 1.0mm
Photodiode Receiver Module, InGaAs (1000-1700nm), 3.0mm
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2500nm), 1.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2500nm), 3.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2600nm), 1.0mm
Photodiode Receiver Module, InGaAs(1200-2600nm), 3.0mm
Photodiode Receiver Module, PbS(1000-2800nm), 2.0mm, TE Cooled
Photodiode Receiver Module, PbSe(1000-4500nm), 2.0mm, TE Cooled

光电管放大器

　



供应光电管放大器，直接将光电二极管、光电倍增管等电流源的电流信号转换成数字信号。通过切换A/W，可以设置电流值显示或者功率值显示(作为光功率计)。该系列光电管放大器具有如下特点：满量程输入范围从±20nA至±20mA；可变偏压从-14V至14V；LCD显示读数；RS-232串行接口。

　
Specifications
Max input without damage
±25mA
Full scale range
±20nA to 20mA in decade steps, 1pA max. resolution
A/W setting
0.100 to 1.000A/W in increments of .005A/W
Output impedance
100Ω
Bias voltage
Selectable -14V to +14V in 6.5mV increments
Analog ourput port
±2V corresponds to ±20,000 counts of range in use
Noise and Drift
<1pA/5 seconds on most sensitive range
Frequency response(-3dB)
DC to 2KHz, most sensitive range
DC to 40KHz, least sensitive range
Display
4 1/2 digit LCD, 0.4" high
Power requirement
Rechargeable Ni-MH batteries with approximately 10-hours
External supply
85-250VAC, 50-60Hz, <9VA
Dimensions
140mm(W)×63mm(H)×215mm(L)
Weight
0.9kg, excluding external power supply
Operating temperature
0 to +40°C
Accessories provided
RS-232 cable, power supply/charger, operating manual